[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审

申请号：	202010878313.2	申请日：	2020-08-27
公开（公告）号：	CN112447502A	公开（公告）日：	2021-03-05
发明（设计）人：	田中启一	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置方法存储介质
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【说明书】：

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从光源部对基片的内侧照射光的照射量比从光源部对基片的外侧照射光的照射量大。本发明能够在使用适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度。

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

背景技术

专利文献1记载了一种技术，在半导体器件的制造工艺中，依次进行：对形成于基片的表面的、曝光后进行了图案化的抗蚀剂的前表面照射波长200nm以下的光的步骤；和进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的步骤。照射波长200nm以下的光的步骤(以下，简称为照射光的步骤。)，目的在于例如改善抗蚀剂膜的粗糙度(凸凹)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3342856号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够在使用了适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过上述旋转驱动部旋转的上述保持部所保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。

本发明的一个方式的基片处理方法一边在处理容器内使基片旋转，一边从具有多个光源的光源部对上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案，在该基片处理方法中，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。

发明效果

依照本发明，提供一种能够在使用了适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。

图2是例示由基片处理装置对基片进行的处理的示意图。

图3是例示基片处理装置中的光源的配置的示意图。

图4是例示控制器的功能性的构成的框图。

图5是例示控制器的硬件构成的框图。

图6是例示基片处理装置中的基片处理时的压力变化的图。

图7是例示评价试验1的结果的图。

图8是例示评价试验2的结果的图。

图9是例示评价试验3的结果的图。