[发明专利]CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法

说明书

本发明提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，形成P型扩散区电阻的扩散区；形成P型多晶硅电阻的多晶硅结构；在CMOS工艺源漏区离子注入的过程中，在扩散区和多晶硅结构上注入能量为8keV的氟离子；在多晶硅结构上覆盖一层SAB结构，并将多晶硅结构的两端露出；在扩散区上覆盖一层SAB结构，并将扩散区的两端露出；在多晶硅结构两端露出的部分和扩散区两端露出的部分分别形成接触孔。本发明通过在MOSFET器件源漏区域形成过程中调整联合注入氟离子的能量，同时改变P型多晶硅中晶粒尺寸和扩散区硼离子浓度分布，进而实现P型多晶硅电阻和P型扩散区电阻阻值的反向调节。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法。

背景技术

电阻是数字和模拟CMOS集成电路的一个重要组成部分，其主要作用是限流和分压。电阻可以分为有源电阻和无源电阻，其中有源电阻通常是利用晶体管在特定工作区域所表现出来的电阻特性，而无源电阻通常是通过掺杂形成的，如多晶硅电阻、扩散区电阻等。由于无源电阻不受电流电压影响、性能稳定，因此在大部分集成电路设计中都使用无源电阻。

无源电阻阻值主要由掺杂和热处理工艺决定。在标准CMOS工艺中，多晶硅电阻和扩散区电阻通常是通过MOSFET器件源漏离子注入和单独的多晶硅离子注入形成的，对于P型电阻而言，掺杂元素通常是硼。P型多晶硅电阻和扩散区电阻阻值均与硼的剂量成反比，即硼的剂量越高，电阻阻值越低。因此，调整硼离子的注入条件会让p型多晶硅电阻和p型扩散区电阻阻值同时增加或降低，无法实现两种电阻阻值的反向调节。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，用于解决现有技术中CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻阻值同时增加或降低而无法实现两种电阻阻值的反向调节的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，至少包括以下步骤：

步骤一、提供P型多晶硅电阻的版图和P型扩散区电阻的版图；

步骤二、在CMOS工艺中形成CMOS器件有源区的同时，利用所述P型扩散区电阻的版图形成P型所述扩散区电阻的扩散区；

步骤三、在所述CMOS工艺中形成CMOS器件栅极多晶硅的同时，利用所述P型多晶硅电阻的版图形成所述P型多晶硅电阻的多晶硅结构；

步骤四、在所述CMOS工艺中CMOS器件源漏区离子注入的过程中，在所述P型扩散区电阻的扩散区和所述P型多晶硅电阻的多晶硅结构上注入氟离子，所述氟离子的注入能量为8keV；

步骤五、利用所述P型多晶硅电阻的版图在所述P型多晶硅电阻的多晶硅结构上覆盖一层SAB结构，并将所述多晶硅结构的两端露出；利用所述P型扩散区电阻的版图在所述扩散区电阻的扩散区上覆盖一层SAB结构，并且所述扩散区的两端露出；

步骤六、利用所述P型多晶硅电阻的版图在所述多晶硅结构两端露出的部分分别形成接触孔；利用所述P型扩散区电阻的版图在所述扩散区两端露出的部分分别形成接触孔。

优选地，步骤一中所述P型多晶硅电阻的版图至少包括：自下而上的多晶硅层、SAB层和接触孔层；所述多晶硅层上包括矩形的多晶硅结构图形，所述SAB层上包括矩形的SAB结构图形，所述接触孔层上包括两个接触孔图形；所述矩形的SAB结构图形将所述矩形的多晶硅结构图形的中段覆盖，同时将所述多晶硅结构图形的两端露出；所述SAB结构图形的长边延伸至所述多晶硅结构图形的长边之外；所述接触孔层上的两个接触孔图形分别叠放在所述多晶硅结构图形露出的两端上方。