[发明专利]共含锗和氮杂质的单晶硅片、其制备方法以及包含所述硅片的集成电路

权利要求书

1.一种共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述的原生单晶硅片包含锗、氮、氧三种杂质，其中锗浓度的范围为2200-10000 ppma，氮浓度的范围为10-90 ppba，氧浓度的范围为10-14ppma；所述原生单晶硅片中的碳浓度低于0.2 ppma。

2.根据权利要求1所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述锗浓度的范围为2200-7800 ppma，氮浓度的范围为10-75 ppba。

3.根据权利要求1所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述锗和氮是在生长硅单晶时掺入的。

4.根据权利要求1所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述原生单晶硅片的电阻率范围为0.001-100 W.cm。

5.根据权利要求1所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述原生单晶硅片含有更少的COPs，所述含有更少的COPs是指所述原生单晶硅片比普通原生硅片的COPs数量降低20%以上，同时COPs的尺寸下降。

6.根据权利要求1所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，当所述原生单晶硅片中锗浓度为4000-10000 ppma，且氮浓度为40-90 ppba时，所述原生单晶硅片的表面及厚度方向上均不含COPs。

7.根据权利要求6所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述原生单晶硅片中锗浓度为4000-7800 ppma，且氮浓度为40-75 ppba。

8.根据权利要求5-7任一项所述的共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，其特征在于，所述COPs的尺寸和数量的检测方法为：所述原生单晶硅片经SCl溶液清洗1小时后，用激光扫描颗粒度仪表征硅片表面存在的COPs，所述激光扫描颗粒度仪检测出COPs的尺寸和数量，所述SCl溶液是指NH₃•H₂O:H₂O₂:H₂O = 1:1:5的溶液。

9.一种硅片，其特征在于，所述的硅片由权利要求1-8任一项所述的原生单晶硅片经热处理后得到。

10.一种共含锗和氮杂质的原生单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包含在硅单晶中掺入锗和氮两种杂质的步骤，其中锗掺杂浓度范围为2200-10000 ppma，氮掺杂浓度范围为10-90 ppba；控制硅单晶中的氧浓度为10 -14 ppma，所述原生单晶硅片中的碳浓度低于0.2 ppma。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述的锗掺杂浓度范围为2200-7800 ppma，所述的氮掺杂浓度范围为10-75 ppba。

12.一种集成电路，其特征在于，所述的集成电路包含权利要求1-8任一项所述的原生单晶硅片、权利要求9所述的硅片、权利要求10或11所述的制备方法制得的原生单晶硅片中的任意一种或多种。