[发明专利]基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移

说明书

本申请涉及基于阈值电压漂移的温度相关斜率而管理所述阈值电压漂移。存储包含对应于一组裸片温度中的每一裸片温度的斜率值的数据结构，其中所述斜率值表示读取电压电平随存储器子系统的写到读延迟时间的改变。响应于读取命令，确定当前写到读延迟时间和当前裸片温度。使用所述数据结构来识别对应于所述当前裸片温度的所存储斜率值。至少部分地基于所述所存储斜率值和所述当前写到读延迟时间而确定经调整读取电压电平。使用所述经调整读取电压电平来执行所述读取命令。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，并且更具体来说，涉及基于存储器子系统的阈值电压漂移的温度相关斜率而管理阈值电压漂移。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。

发明内容

根据本申请的一方面，提供一种方法。所述方法包括：存储包括对应于一组裸片温度中的每一裸片温度的斜率值的数据结构，其中所述斜率值表示读取电压电平随存储器子系统的写到读延迟时间的改变；响应于读取命令，确定当前写到读延迟时间和当前裸片温度；使用所述数据结构来识别对应于所述当前裸片温度的所存储斜率值；基于所述所存储斜率值和所述当前写到读延迟时间而确定经调整读取电压电平；以及由处理装置使用所述经调整读取电压电平来执行所述读取命令。

根据本申请的另一方面，提供一种非暂时性计算机可读媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行操作。所述操作包括：响应于与存储器子系统的存储器裸片相关联的读取命令，确定所述存储器裸片的当前温度；接收对应于所述当前温度的值，其中斜率值表示一组读取电压电平随所述存储器子系统的一组写到读延迟时间的改变；基于所述值而确定经调整读取电压电平；以及使用所述经调整读取电压电平来执行所述读取命令。

根据本申请的又一方面，提供一种系统。所述系统包括：存储器组件；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作：存储包括对应于一组裸片温度中的每一裸片温度的斜率值的数据结构，其中所述斜率值表示读取电压电平随存储器子系统的写到读延迟时间的改变；响应于读取命令，确定当前写到读延迟时间和当前裸片温度；使用所述数据结构来识别对应于所述当前裸片温度的所存储斜率值；至少部分地基于所述所存储斜率值和所述当前写到读延迟时间而确定经调整读取电压电平；以及使用所述经调整读取电压电平来执行所述读取命令。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2是根据一些实施例的使用经调整读取电压电平来执行读取命令的实例方法的流程图，所述经调整读取电压电平对应于表示读取电压电平随着写到读延迟时间的改变的温度相关斜率值。

图3A和3B说明根据一些实施例的包含对应于最低误码率的读取电压电平的实例确定的曲线图。

图4说明根据一些实施例的包含读取电压电平的增量和写到读延迟时间的实例标绘图以确定对应于多个不同裸片温度的斜率值的曲线图。

图5说明根据一些实施例的包含多个不同裸片温度与对应斜率值之间的所存储关联的实例数据结构。

图6是根据一些实施例的使用经调整读取电压电平来执行读取命令的实例方法的流程图。

图7是本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式