[发明专利]一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法

权利要求书

1.一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.选取晶体硅基体，对硅片进行预处理；

S2.将步骤S1处理后的晶体硅基体放入板式PECVD设备，在板式PECVD工艺腔内首先完成隧穿氧化层沉积，然后在隧穿氧化层上面沉积原位掺杂非晶硅层；

S3.将步骤S2处理后的晶体硅基体进行退火处理，使掺杂非晶硅完成晶化，从而得到掺杂多晶硅层。

2.基于权利要求1的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S1中，预处理后在晶体硅基体的表面形成抛光面或制绒面。

3.基于权利要求1的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S2中，先在板式PECVD腔内通入氧气和一氧化二氮气体，激发方式为微波激发，加热温度为300～450℃，从而制备隧穿氧化层；隧穿氧化层的成分为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的混合物；隧穿氧化层的厚度为1～10nm。

4.基于权利要求3的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S2中，隧穿氧化层沉积完毕后，再向PECVD工艺腔内通入的掺杂非晶硅工艺气体以在隧穿氧化层上面沉积原位掺杂非晶硅层，掺杂非晶硅层的厚度为30～100nm。

5.基于权利要求4的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S2中，沉积掺杂非晶硅时，通入的工艺气体为氢气与磷烷，或者为氢气与硼烷，或者为氢气、硅烷与磷烷，或者为氢气、硅烷与硼烷。

6.基于权利要求1的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S3中，退火时，向PECVD工艺腔内通入氮气作为保护气体，退火温度800～900℃，退火时间15～120min。

7.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，太阳能电池的钝化接触结构基于权利要求1-6任一项制备而成。