[发明专利]一种低方阻的透明导电膜

说明书

本发明公开了一种低方阻的透明导电膜，包括由下往上层叠设置的透明基材、折射率匹配层、过渡层、金属合金层、第一透明导电层、介质阻隔层和第二透明导电层，在透明基材与金属合金层之间增加了一个由折射率匹配层与过渡层二者共同组合成的基材侧的水氧阻隔层，其中过渡层的目的是给上层的金属合金层提供一个致密连续的导电层衬底，减少薄层金属的岛状不连续现象，其与折射率匹配层共同组合成基材侧的水氧阻隔层后，有效防止金属合金层在使用过程中劣化，使整体可靠性耐候性大幅提高，在金属合金层的空气侧，增加了介质阻隔层和一层内侧的透明导电层，有效的隔绝了加工与运输过程中水氧通过空气侧的最外侧的透明导电层对金属合金层的水氧侵蚀。

技术领域

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及一种低方阻的透明导电膜。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术及光伏技术突飞猛进的发展，诸如平面显示器、触控屏、窗膜、聚合物分散液晶、太阳能电池等技术迅速发展和完善，这些新技术都需要用到透明导电膜作为电极、受光面或者电磁脉冲屏蔽膜。以触控屏为例，触控屏中常用的几种类型如电阻式触控屏、表面电容式触控屏、感应电容式触控屏都需要利用透明导电膜作为电极材料。

透明导电膜公认的定义为在可见光范围为透明的，并且具有较低的电阻率。目前常用的透明导电膜有ITO(氧化锡与氧化铟的混合物)膜、AZO(掺铝氧化锌)膜以及氧化铝等。

经文献检索发现，1998年M.Bender和W.Seelig等人在《Thin solidFilms》第326(1998)67-71上撰文“Dependence of film composition and thickness on optical andelectrical properties of ITO-metal-ITO multilayers(ITO-金属-ITO多层膜光电性能与其膜厚及组成的关系)”，该问题出ITO/AG/ITO(I/M/I)多层膜取代单一的ITO膜，企图获得更好的导电性能和更低的成本。但这种三明治结构的光电性能没能达到人们的期望值。之后上海交通大学的一个课题组提出了电介质层/金属层/电介质层的三明治结构，具有良好的导电性和较低的电阻。但这种结构的膜仍具有较厚的厚度，在柔性基材PET上易脱落，附着性差，且暴露在空气中，组织不稳定，抗氧化能力差且耐候性测试500h，数据较差。

例如以目前行业内成熟的ITO制作的方阻为15欧姆左右的上述导电膜为例，ITO厚度大约130nm以上，厚度导致弯折性变差，导致柔性基材基本不能使用的状况。银叠层导电膜成功的解决了这一问题，并在成本上会有下降。缺点是银叠层导电膜耐候性以及透过率会比ITO稍差。

发明内容

本发明目的是：提供一种耐候性以及透过率更好的低方阻的透明导电膜，以弥补现有技术在这一块的不足。

本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供的一种低方阻的透明导电膜，包括由下往上层叠设置的透明基材、折射率匹配层、过渡层、金属合金层、第一透明导电层、介质阻隔层和第二透明导电层，

其中所述折射率匹配层为硫化锌层、五氧化二铌层、二氧化钛层、氧化锌层或者氧化锌混合层，厚度为15～50nm，所述过渡层为氧化镁、氧化镓和氧化铝中的至少一种与氧化锌混合的氧化锌混合层，厚度为3～15nm，

所述介质阻隔层为氧化锌层、二氧化硅层、氧化铝层或氮化硅层，或为氧化镁、氧化镓、氧化铝中的一种与氧化锌混合的氧化锌混合层，或为氮化硅、氧化铝中的一种与二氧化硅混合的二氧化硅混合层。

在某些实施方式中，所述折射率匹配层为五氧化二铌层，厚度为35nm。

在某些实施方式中，所述过渡层为氧化锌镁层、氧化锌镓层或氧化锌铝层。

在某些实施方式中，所述过渡层为氧化锌镁层，厚度为6nm。

在某些实施方式中，所述介质阻隔层为二氧化硅层，厚度为10nm。