[发明专利]一种IGBT模块加热治具在审
申请号: | 202010880670.2 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN111987018A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 余辰将;王民;童振华;张高华 | 申请(专利权)人: | 智瑞半导体有限公司;上海轩田工业设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430056 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 模块 加热 | ||
本发明涉及治具技术领域,具体是一种IGBT模块加热治具,包括:治具本体,所述治具本体上设有定位导向件,物料通过所述定位导向件安装在所述治具本体上;加热模块,所述治具本体安装在所述加热模块上,所述加热模块对治具本体和物料加热;以及监测模块,监测模块用于监测所述加热模块和治具本体的温度、物料的安装状态,并控制加热模块工作;若干所述治具本体呈阵列安装在所述加热模块上;所述加热模块包括电加热元件和加热板,一个或多个所述电加热元件插装在所述加热板内。本发明的有益效果是:分模块进行安装、加热及测温,升温时间短、加热效率高、产品定位精度高、自动化兼容性强。
技术领域
本发明涉及治具技术领域,具体是一种IGBT模块加热治具。
背景技术
IGBT模块加热治具是对IGBT模块进行热处理的一种装置,通过将IGBT模块装配在IGBT模块加热治具上进行加热实现;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件;IGBT模块加热治具采用热电偶的方式对IGBT模块进行加热,IGBT模块放置在加热治具上。
现有的加热技术采用整个加热板的方式对IGBT模块进行加热,对加热的IGBT模块产品的温度进行监控。但是现有的治具无法与自动化进行连接,缺少整体信号交互的方式,整体加热效率慢,对产品定位精度不高的缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种IGBT模块加热治具,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种IGBT模块加热治具,包括:治具本体,所述治具本体上设有定位导向件,物料通过所述定位导向件安装在所述治具本体上;加热模块,所述治具本体安装在所述加热模块上,所述加热模块对治具本体和物料加热;以及监测模块,监测模块用于监测所述加热模块和治具本体的温度、物料的安装状态,并控制加热模块工作。
作为本发明进一步的方案:若干所述治具本体呈阵列安装在所述加热模块上。
作为本发明再进一步的方案:所述加热模块包括电加热元件和加热板,一个或多个所述电加热元件插装在所述加热板内。
作为本发明再进一步的方案:所述加热板的数量与所述治具本体的数量相同。
作为本发明再进一步的方案:所述加热板的制作材料为黄铜。
作为本发明再进一步的方案:所述治具本体上开设有用于传导热量的呈蜂窝状的通孔。
作为本发明再进一步的方案:所述治具本体的制作材料为铝或铝合金。
作为本发明再进一步的方案:所述定位导向件包括设置在治具本体上的定位销和衬套,所述定位销限位支撑物料,所述衬套为物料的装配导向。
作为本发明再进一步的方案:所述监测模块包括微处理器和与微处理器连接的温度传感器,所述温度传感器设置在所述治具本体上,用于监测治具本体的温度,所述微处理器控制所述加热模块的加热效率。
作为本发明再进一步的方案:所述监测模块还包括位移传感器,所述位移传感器与微处理器连接,所述位移传感器用于监测治具本体上物料的安装状态,并将监测数据反馈给微处理器。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:分模块进行安装、加热及测温,升温时间短、加热效率高、产品定位精度高、自动化兼容性强。
附图说明
图1为本发明实施例中IGBT模块加热治具的结构示意图。
图2为本发明实施例中微处理器的系统原理框图。
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