[发明专利]一种晶片键合过程中对准检测方法

权利要求书

1.一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在上晶片非键合面(113)制作上晶片辅助对准标记(111)和上晶片主对准标记(112)；

2)在下晶片键合面(213)制作下晶片辅助对准标记(211)和下晶片主对准标记(212)；其中，上晶片主对准标记(112)和下晶片主对准标记(212)对准后，上晶片不遮挡下晶片辅助对准标记(211)，下晶片主对准标记(212)到下晶片辅助对准标记(211)的距离大于上晶片主对准标记(112)到上晶片辅助对准标记(111)的距离；

3)首先，在对准设备上平台的下表面固定下晶片，下晶片键合面(213)朝下放置，然后，在对准设备下平台的上表面固定上晶片，上晶片非键合面(113)朝下放置；调整对准设备上平台和下平台之间的位置关系，将上晶片主对准标记(112)与下晶片主对准标记(212)对准；其中，上晶片键合面与下晶片键合面(213)贴合；

4)利用显微镜测量，露出的下晶片辅助对准标记(211)与上晶片辅助对准标记(111)的横纵向位置偏差，根据横纵向位置偏差确定对准标记偏差。

2.根据权利要求1所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：所述上晶片为不透光的晶片，材料为单晶硅或金属，厚度取值范围为200～500μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：上晶片主对准标记(112)包括两个关于上晶片对称轴对称的标记；

下晶片主对准标记(212)包括两个关于下晶片对称轴对称的标记。

4.根据权利要求3所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：上晶片辅助对准标记(111)设置在上晶片下边界(114)以上1000～2000μm，上晶片主对准标记(112)的两个标记连线过上晶片中央位置(115)。

5.根据权利要求4所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：下晶片辅助对准标记(211)设置在下晶片下边界(214)以上1000～2000μm，下晶片主对准标记(212)设置在下晶片中央位置(215)往上2000～3000μm。

6.根据权利要求5所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：步骤3)所述的对准为背面对准。

7.根据权利要求5所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于：步骤4)所述显微镜为光学显微镜。

8.根据权利要求5所述的一种晶片键合过程中对准检测方法，其特征在于，步骤4)根据横纵向位置偏差确定对准标记偏差的方法，具体为：

在显微镜下测量露出的下晶片辅助对准标记(211)与上晶片辅助对准标记(111)的横纵向的位置偏差，利用坐标变换计算出对准标记偏差。