[发明专利]一种MEMS结构及其形成方法

权利要求书

1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：

衬底，具有空腔；

振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；

第一电极层，形成于所述振动支撑层上方；

压电层，形成于所述第一电极层上方，所述压电层具有凹槽，所述凹槽在厚度方向上延伸穿透所述压电层，所述凹槽将所述MEMS结构分割成中间区域和外围区域；

第二电极层，形成在所述压电层的所述中间区域和所述外围区域上方。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括第一隔离层，所述第一隔离层共形地形成于所述压电层的上方、所述凹槽的侧壁和底面，并且所述第二电极层形成在所述第一隔离层上方。

3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层均具有分隔开的相对应的至少两个等分区，在每个等分区内，所述第一电极层和所述第二电极层中的一个的所述中间区域和所述外围区域相连，所述第一电极层和所述第二电极层中的另一个的所述中间区域和所述外围区域分隔开。

4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，

所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的第一等分区的所述外围区域经第一导线向外延伸并且所述第一导线作为所述MEMS结构的一个端子；

所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的所述第一等分区的所述中间区域通过第二导线连接所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的第二等分区的所述外围区域以实现串联，所述第一等分区与所述第二等分区相邻，并且通过多个所述第二导线依次重复连接相邻两个等分区；

所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的最后等分区的所述中间区域经第三导线向外延伸并且所述第三导线作为所述MEMS结构的另一个端子。

5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述凹槽的正下方的所述振动支撑层具有平坦上表面，所述MEMS结构还包括通孔，所述通孔在所述凹槽内贯穿延伸至所述空腔，所述凹槽的投影区域在所述空腔的投影区域内。

6.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述凹槽的正下方的所述振动支撑层具有波浪形褶皱部分，所述波浪形褶皱部分位于所述中间区域和所述外围区域之间。

7.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述衬底和所述振动支撑层之间。

8.一种MEMS结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上方形成振动支撑层；

在所述振动支撑层上方形成第一电极材料，并且图形化以形成第一电极层；

在所述第一电极层上方形成压电材料，并且图形化以形成具有凹槽的压电层，所述凹槽在厚度方向上延伸穿透所述压电层；

在所述压电层的上方、所述凹槽的侧壁和所述第一电极层的上表面共形地形成第一隔离材料，并且图形化以形成第一隔离层；

在所述第一隔离层上方形成第二电极材料，并且图形化以形成第二电极层；

底部蚀刻所述衬底直至所述振动支撑层的底面以形成空腔。

9.根据权利要求8所述的MEMS结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽将所述MEMS结构分割成中间区域和外围区域，并且在图形化以形成所述第二电极层的步骤中，使得所述第一电极层和所述第二电极层均具有分隔开的相对应的至少两个等分区，在每个等分区内，所述第一电极层和所述第二电极层中的一个的所述中间区域和所述外围区域相连，所述第一电极层和所述第二电极层中的另一个的所述中间区域和所述外围区域分隔开。