[发明专利]一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法在审
申请号: | 202010882817.1 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112071879A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 陈宇怀 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 对比度 透明 面板 结构 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法,包括制作电致变色层步骤和制作透明显示结构步骤;制作电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面;或者制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面;透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上,透明显示结构包括有空白区域和画素,电致变色层与空白区域错开设置,且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域,竖直方向垂直于基板方向;上述技术方案使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的第一电致变色层,使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果,以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度,提高深色画面的显示效果,拓宽透明显示面板的应用场景。
技术领域
本发明涉及透明面板结构制作领域,尤其涉及一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的日益发展,各种新型技术不断涌现,透明显示技术因其透明的显示面板这一特性及其独特的应用,越来越受到人们的关注。AMOLED面板其自发光的特性使得在透明显示上拥有更多的可能性,但是由于透明AMOLED面板自身的条件限制,无法独立显示“黑”色,需配合使用黑色幕布背景才能实现不同灰阶以及深色显示,这以特殊条件限制了透明显示面板的使用场景。
发明内容
为此,需要提供一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法,解决无法独立显示“黑”色的问题。
为实现上述目的,本申请提供了一种提高对比度的透明面板结构的制作方法,包括制作电致变色层步骤和制作透明显示结构步骤;
制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面;或者制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面;
所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上,所述透明显示结构包括有空白区域和画素,所述电致变色层与空白区域错开设置,且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域,所述竖直方向垂直于基板方向;
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面时,制作所述方法包括:
于基板上制作第一电致变色层,并于所述第一电致变色层上制作缓冲层;
于所述缓冲层上制作以所述第一电致变色层为底的第一通孔,
在缓冲层上完成制作所述透明显示结构步骤,透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接;
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面时,所述制作方法包括:
在基板上完成制作所述透明显示结构步骤,在透明显示结构中发光层上的非空白区域制作第二电致变色层。
进一步地,制作所述透明显示结构步骤包括:
制作第一栅极层和第二栅极层,且所述第二栅极层通过所述第一通孔与所述第一电致变色层连接;
制作栅极绝缘层,并蚀刻所述栅极绝缘层,形成以所述第二栅极层为底的第二通孔;
制作第一有源层和第二有源层,所述第一有源层置于所述第一栅极上方的所述栅极绝缘层上,所述第二有源层置于所述第二栅极上方的所述栅极绝缘层上;
制作第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极;所述第一源极和第一漏极分别置于所述第一有源层两侧,且所述第一源极或第一漏极通过所述第二通孔与所述第二栅极连接;所述第二源极和第二漏极分别置于所述第二有源层的两侧;
制作钝化层,并蚀刻钝化层形成以第二源极或者第二漏极为底的第三通孔;蚀刻所述钝化层和栅极绝缘层形成以缓冲层为底的第四通孔,第四通孔为所述空白区域;
制作平坦层,并蚀刻第三通孔和第四通孔位置处的平坦层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的