[发明专利]一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法

权利要求书

1.一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法，其特征在于包括如下步骤：

S1、采用时域有限差分算法，设置SERS基底的结构，其包括SiO2基底层，在SiO2基底层上设置有Au金属薄膜层，Au金属薄膜层上方附着一层SiO2介质层，介质层上方设置有Au顶层金属以及位于Au顶层金属上的双圆孔结构，同时设置该基底的周期性边界结构；

S2、确定仿真的初始条件，固定SiO2基底层的厚度，周期性结构的边界条件，以及双圆孔结构的半径；

S3、依次改变Au金属薄膜层的厚度、SiO2介质层的厚度、Au顶层金属层的厚度、以及双圆孔结构的缝距大小，利用FDTD solution软件计算SERS基底的电场强度分布，根据电场强度分布计算SERS基底的增强因子，其中，每个双圆孔结构包括2个圆形孔洞，两个圆形孔洞相交，相交部分最短距离为双圆孔的缝距；

S4、从步骤（3）中，筛选出增强因子较大的结构作为优化之后的SERS基底。