[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010883958.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112216742B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;胡加辉;王慧;蒋媛媛;张武斌;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和帽层，其特征在于，
所述帽层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为InGaN层，所述第一子层和所述第二子层中均掺杂有主掺杂元素，所述第二子层中还掺杂有辅助掺杂元素；
所述主掺杂元素为Be，所述辅助掺杂元素为O、Mg、Si或Zn；
或者，所述主掺杂元素为Mg，所述辅助掺杂元素为O、Si或Zn。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层中的所述主掺杂元素的掺杂浓度均为1*1020～9*1021cm-3。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述第二子层中的所述辅助掺杂元素的掺杂浓度为1*1019～5*1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述第二子层中的所述主掺杂元素和所述辅助掺杂元素的掺杂浓度的比值为1：1～5：1。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述第二子层中的In的掺杂浓度为10～104cm-3。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述帽层包括n个周期交替生长的第一子层和第二子层，1≤n≤10，所述帽层的总厚度为50～150nm。
7.根据权利要求6所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为5～20nm，所述第二子层的厚度为10～30nm。
8.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和帽层；
其特征在于，
所述帽层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为InGaN层，所述第一子层和所述第二子层中均掺杂有主掺杂元素，所述第二子层中还掺杂有辅助掺杂元素；
所述主掺杂元素为Be，所述辅助掺杂元素为O、Mg、Si或Zn；
或者，所述主掺杂元素为Mg，所述辅助掺杂元素为O、Si或Zn。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述帽层的生长温度为800～1050℃，生长压力为50～300torr。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
生长完所述帽层后，将所述外延片进行炉内退火，退火温度为600～900℃，退火时间为5～10min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010883958.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
