[发明专利]陶瓷元件的振动噪音抑制结构在审
申请号: | 202010884072.2 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN114121482A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 刘妤婕;许智远;凌溢骏 | 申请(专利权)人: | 信昌电子陶瓷股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/236;H01G4/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姜璐璐;韩嫚嫚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 元件 振动 噪音 抑制 结构 | ||
1.一种陶瓷元件的振动噪音抑制结构,在一陶瓷元件与一基板之间设置一振动噪音抑制结构,该陶瓷元件的两端部分别设有一第一外部电极和一第二外部电极,而该基板上则设有一第一焊垫和一第二焊垫,该第一焊垫和该第二焊垫分别对应于该陶瓷元件的该第一外部电极和该第二外部电极,并分别以一第一焊着材料和一第二焊着材料焊着在该陶瓷元件的该第一外部电极和该第二外部电极,其特征在于,该振动噪音抑制结构包括:
一第一中介层,位于该基板的一顶面上,该第一中介层具有一第一外部端子和一第二外部端子,该第一外部端子和该第二外部端子分别上下对应于该陶瓷元件的该第一外部电极和该第二外部电极,该第一外部端子和该第二外部端子也上下对应于该基板的该第一焊垫和该第二焊垫,该第一中介层具有一第一介电系数和一第一抗板弯系数;
一第二中介层,位于该陶瓷元件的该底面与该第一中介层之间,该第二中介层具有一第二介电系数和一第二抗板弯系数。
2.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层的该第一端部形成有一第一凹部,且该第一端部在面向该陶瓷元件的一表面形成一第一顶面导电部,在面向该基板的一表面形成一第一底面导电部,在该第一顶面导电部和该第一底面导电部之间并沿着该第一凹部的一外表面形成一第一垂直导电部,该第一焊着材料将该陶瓷元件的该第一外部电极和该第一中介层的该第一顶面导电部、该第一垂直导电部、该第一底面导电部焊着在该基板的该第一焊垫,使得该陶瓷元件的该第一外部电极和该基板的该第一焊垫形成电导通。
3.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层的该第二端部形成有一第二凹部,且该第二端部在面向该陶瓷元件的一表面形成一第二顶面导电部,在面向该基板的一表面形成一第二底面导电部,在该第二顶面导电部和该第二底面导电部之间并沿着该第二凹部的一外表面形成一第二垂直导电部,该第二焊着材料将该陶瓷元件的该第二外部电极和该第二中介层的该第二顶面导电部、该第二垂直导电部、该第二底面导电部焊着在该基板的该第二焊垫,使得该陶瓷元件的该第二外部电极和该基板的该第二焊垫形成电导通。
4.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该陶瓷元件为一积层陶瓷电容器。
5.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层以三氧化二铝所制成。
6.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第二中介层以硅胶所制成。
7.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层的该第一介电系数介于5至10之间,该第二中介层的该第二介电系数系介于1至4之间。
8.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层的该第一抗板弯系数介于8.0至20.0之间,而该第二中介层的该第二抗板弯系数介于30.0至50.0之间。
9.根据权利要求1所述的陶瓷元件的振动噪音抑制结构,其特征在于,该第一中介层的厚度介于2.0毫米至5.0毫米之间,该第二中介层的厚度介于10微米至50微米之间。
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