[发明专利]一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种溶液法制备Cs₂SnI₆薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将碘化铯与碘化锡加入DMSO或DMSO和DMF的混合溶剂中，在20~70℃搅拌溶解，配成Cs₂SnI₆前驱体溶液；

（2）以步骤（1）中配制得到的前驱体溶液在N₂氛围下静置陈化3天~10天后，旋涂沉积在衬底上得到前驱体薄膜；

（3）将步骤（2）中得到的前驱体薄膜放置在温度为30-70℃的热台上加热1.0min~40min；然后再放在旋涂机上，滴40μL ~100μL补充溶液，该溶液滴上之后旋涂干，补充溶液的成分为碘化锡的异丙醇溶液，浓度为1mg/mL -10mg/mL ；

（4）对步骤（3）中得到的薄膜150~200℃退火处理10 s ~300s，得到Cs₂SnI₆薄膜。

2.根据权利要求1所述的溶液法制备Cs₂SnI₆薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中碘化铯与碘化锡的摩尔比为（1~2）:（1~2），采用DMSO与DFM的混合溶剂时，DMSO与DFM体积比为1-6:1，前驱体溶液中的Cs₂SnI₆浓度为0.2mol/L-1.0mol/L。

3.根据权利要求1所述的溶液法制备Cs₂SnI₆薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中旋涂沉积是采用两步旋涂法，第一阶段转速为1000-1500转/分钟，时间为5-10秒，第二阶段转速为1500-4000转/分钟，时间为30-90秒；在第二阶段旋转开始后20-60秒时，滴上100-500μL反溶剂，反溶剂为异丙醇、氯苯、甲苯、乙醇或乙酸乙酯。

4.权利要求1至3任一所述的制备方法制备得到的Cs₂SnI₆薄膜。

5.权利要求4所述Cs₂SnI₆薄膜在光电探测器中的应用，其特征在于，所述Cs₂SnI₆薄膜作为光电探测器的吸光层使用。