[发明专利]基片支承器和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种基片支承器，其特征在于，包括：

电介质部；和

设置于所述电介质部之中的至少一个电极，其用于对载置于所述电介质部上的物体供给偏置电功率。

2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于，包括：

第一静电吸盘区域，其构成为能够保持载置于其上的基片；和

第二静电吸盘区域，其构成为以包围所述第一静电吸盘区域的方式设置，并能够保持载置于其上的边缘环，

所述第二静电吸盘区域具有设置于其中的一个以上的电极，该一个以上的电极用于在该第二静电吸盘区域与所述边缘环之间产生静电引力，并且通过该第二静电吸盘区域对所述边缘环供给所述偏置电功率，

所述一个以上的电极包含所述至少一个电极。

3.如权利要求2所述的基片支承器，其特征在于：

所述至少一个电极是用于对其施加电压以产生所述静电引力，并且用于对其供给所述偏置电功率的共用电极。

4.如权利要求2所述的基片支承器，其特征在于：

所述一个以上的电极包括：

用于对其施加电压以产生所述静电引力的第一电极；和

用于对其供给所述偏置电功率的第二电极，

所述第二电极是所述至少一个电极。

5.如权利要求2～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述第二静电吸盘区域是双极型的静电吸盘。

6.如权利要求2～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述第二静电吸盘区域是单极型的静电吸盘。

7.如权利要求2～6中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述第二静电吸盘区域还具有所述电介质部的至少一部分，

所述一个以上的电极设置于所述电介质部的所述至少一部分之中。

8.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：

所述第一静电吸盘区域和所述第二静电吸盘区域共有所述电介质部，

所述第一静电吸盘区域具有设置于所述电介质部之中的吸盘电极，该吸盘电极能够被施加用于将所述基片吸附到该第一静电吸盘区域的电压。

9.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：

所述第一静电吸盘区域包括：

第一电介质部；和

设置于所述第一电介质部之中的吸盘电极，其能够被施加用于将所述基片吸附到该第一静电吸盘区域的电压，

第二电介质部与所述第一电介质部被分离开，该第二电介质部是所述第二静电吸盘区域具有的所述电介质部。

10.如权利要求7～9中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

还包括加热器，其设置于所述第二静电吸盘区域具有的所述电介质部之中。

11.如权利要求2～10中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

还包括气体通路，其用于将传热气体供给到所述第二静电吸盘区域与所述边缘环之间。

12.如权利要求2～11中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述第一静电吸盘区域具有设置于该第一静电吸盘区域之中的其他电极，该其他电极能够被供给偏置电功率。

13.如权利要求2～11中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

还包括具有导电性的、用于对其供给偏置电功率的基座，

所述第一静电吸盘区域和所述第二静电吸盘区域设置于所述基座上。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；和

权利要求1～13中任一项所述的基片支承器，该基片支承器设置于所述腔室内。