[发明专利]太阳能电池栅线结构和光伏组件有效
申请号: | 202010884545.9 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112002772B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 于琨;刘长明;张昕宇;高贝贝;闫循磊 | 申请(专利权)人: | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/042 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 肖丽 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 组件 | ||
本申请提供了一种太阳能电池栅线结构和光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池栅线结构,包括:主栅线;辅栅线,用于所述辅栅线的第一浆料包括第一玻璃料和铝或含铝材料,所述第一玻璃料包括第一金属氧化物,所述第一金属氧化物中金属的标准电极电位≥0.3V,且所述第一金属氧化物在所述第一玻璃料中的质量含量≥35%;其中,所述辅栅线部分设置于所述主栅线的上方,所述主栅线的高度≥12微米。本申请能够增加主栅线与辅栅线的连接,降低电化学反应对栅线的腐蚀,较好的抑制串阻升高及电流收集能力降低的影响。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池栅线结构和光伏组件。
背景技术
随着光伏技术的不断发展,光伏组件质保期也在不断的延长,组件的可靠性和耐久性越来越受到相关研究企业或机构和消费者的关注。光伏组件一般应用于户外环境,长期处于户外环境尤其是高温高湿条件下,环境中水汽等进入组件会缓慢老化造成内部金属部件的腐蚀;金属表面与电解质溶液接触发生电化学反应,使金属离子化,或生成氧化物、氢氧化物,导致材料变质与变化,而影响光伏组件的使用寿命。具体的,晶硅光伏组件在长期高温高湿环境下,空气中的水分和氧气侵入组件内部,材料老化水解产生醋酸或内部进入氧化气体,从而导致焊带、金属化栅线或焊带和金属化栅线之间发生电化学腐蚀,造成光伏组件的电性能降低,功率衰减变大。
近年来,N型太阳能电池因光致衰减低,稳定性好,双面发电等优良特性而受到广泛关注,N型太阳能电池在光伏市场的占比越来越大。N型电池结构一般正面为P+掺硼层,基体为N型硅基体,而背面为N+掺磷层。N型电池一般采用主栅线、辅栅线分开印刷,用于形成主栅线和辅栅线的浆料中在高温烧结后需要与硅基底形成良好的欧姆接触并具有良好导电性。然而,现有的电池栅线结构中主栅线和辅栅线之间的连接不够可靠,增加了电池在湿热过程中的衰减,使得组件功率降低。
发明内容
本申请的目的在于提供一种太阳能电池栅线结构和光伏组件,能够增加主栅线与辅栅线的连接,降低电化学反应对栅线的腐蚀,较好的抑制了串阻升高及电流收集能力降低的影响。
为实现上述目的,本申请采用的技术方案为:
根据本申请的一个方面,本申请提供一种太阳能电池栅线结构,包括:
主栅线;
辅栅线,用于所述辅栅线的第一浆料包括第一玻璃料和铝或含铝材料,所述第一玻璃料包括第一金属氧化物,所述第一金属氧化物中金属的标准电极电位≥0.3V,且所述第一金属氧化物在所述第一玻璃料中的质量含量≥35%;
其中,所述辅栅线部分设置于所述主栅线的上方,所述主栅线的高度≥12微米。
在一种可能的实现方式中,所述第一金属氧化物包括氧化碲、氧化铋或氧化铜中的至少一种;且所述第一金属氧化物在所述第一玻璃料中的质量含量为35%-75%。
在一种可能的实现方式中,所述第一金属氧化物为氧化铋,所述氧化铋在所述第一玻璃料中的质量含量为45%-75%。
在一种可能的实现方式中,所述第一玻璃料包括以下质量含量的组分:
第一金属氧化物35%-75%、氧化铅0-15%、氧化硼8%-20%、氧化锌3%-7%和硅粉5%-8%;
其中,所述第一金属氧化物为氧化铋。
在一种可能的实现方式中,用于所述主栅线的第二浆料包括第二玻璃料,所述第二玻璃料包括氧化碲,所述氧化碲在所述第二玻璃料中的质量含量为30%-65%。
在一种可能的实现方式中,所述第二玻璃料包括以下质量含量的组分:
氧化碲35%-65%、氧化硼15%-20%和氧化锌0%-5%。
在一种可能的实现方式中,所述第二浆料包括以下质量含量的组分:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的