[发明专利]高介低损耗耐高压电容器用陶瓷介质材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010884672.9 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN111960817A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 湛新星 申请(专利权)人: 湛新星
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 北京化育知识产权代理有限公司 11833 代理人: 尹均利
地址: 550001 贵州省贵阳市云*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 高介低 损耗 高压 电容 器用 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.高介低损耗耐高压电容器用陶瓷介质材料,通式BaTi1-x-yZrxNbyO3+mZnO+a MnO2+bCuO+cRe2O3所示的锆钛酸钡基Y5V陶瓷粉体,其中各组分的摩尔含量为:x=0.05~0.20,y=0~0.05,m=0~0.10,a=0~0.005,b=0~0.015,c=0~0.015。

2.根据权利要求1所述的陶瓷介质材料,其特征在于:该材料由主料固溶体Ba(Ti1-x-yZrxNby)O3+mZnO,BaZrO3和二次添加剂和一种以上的稀土氧化物组成。

3.根据权利要求1或2所述的介质材料,其特征在于:所述的主料固溶体Ba(Ti1-x-yZrxNby)O3·mZnO中,0.03x0.10,0y0.01,0m0.05。

4.根据权利要求1或2所述的介质材料,其特征在于:所述的二次添加剂包括MnO2,CuO,Nb2O5和一种或一种以上的稀土氧化物Re2O3;所述二次添加剂所占重量百分比为:

MnO2:0~0.5mol%;

CuO:0~1.0mol%;

Nb2O5:0~1.5mol%;

Re2O3:0~1.5mol%。

5.根据权利要求1-4任意之一所述的介质材料,其特征在于:所述的二次添加剂中的稀土氧化物Re2O3中Re代表:镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥及钪、钇。

6.根据权利要求1所述介质材料的制备方法,包括以下步骤:

(1)按计量比将BaCO3,TiO2,ZrO2,Nb2O5和ZnO,以蒸馏水为介质球磨6~48h;

(2)将浆料在100~150℃烘干,得到的前躯体粉末在1100-1200℃进行煅烧并保温1~6h,过筛得到主晶相粉体;

(3)按计量比将主晶相粉体及BaZrO3、Nb2O5、CeO2、MnCO3、CuO、Sm2O3,以蒸馏水为介质球磨6~48h,所得浆料在100~150℃烘干得BTZ基陶瓷介质粉体。

7.根据权利要求6所述介质材料的制备方法,其特征在于:所述二次添加剂中Mn2+以MnO2或MnCO3的形式加入,其余以氧化物的形式加入。

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