[发明专利]背照式图像传感器在审
| 申请号： | 202010884876.2 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111785750A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 顾珍;田志;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括背面作为光入射面的半导体基底，在平行于背面的平面内，所述半导体基底上设置有像素区以及包围所述像素区的光学黑体区；对应于所述像素区，所述半导体基底中形成有多个第一沟槽隔离，对应于所述光学黑体区，所述半导体基底中形成有多个第二沟槽隔离，所述第一沟槽隔离和所述第二沟槽隔离均从所述背面沿远离所述背面的方向延伸且具有相同的深度，而所述第一沟槽隔离的宽度小于所述第二沟槽隔离的宽度。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第二沟槽隔离的宽度为所述第一沟槽隔离宽度的3～6倍。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离和所述第二沟槽隔离的深度范围为1.4μm～2.0μm。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，多个所述第一沟槽隔离等间距平行设置，多个所述第二沟槽隔离等间距平行设置，且所述第一沟槽隔离之间的间距与所述第二沟槽隔离之间的间距相等。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离和所述第二沟槽隔离包括填充材料，所述填充材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
6.如权利要求1至5任意一项所述的背照式图像传感器，其特征在于，在平行于背面的平面内，所述像素区包括有效像素区和位于所述光学黑体区与所述有效像素区之间的虚设像素区，其中，用于生成图像的有效像素对应于所述有效像素区设置；对应于所述有效像素区，所述半导体基底在任意两个相邻的第一沟槽隔离间设置有第三沟槽隔离，所述第三沟槽隔离从所述背面沿远离所述背面的方向延伸，所述第三沟槽隔离的深度小于所述第一沟槽隔离的深度。
7.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，对应于所述虚设像素区，所述半导体基底至多在部分相邻第一沟槽隔离间设置有所述第三沟槽隔离。
8.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，距离所述光学黑体区最近的一个所述第一沟槽隔离和距离所述虚设像素区最近的一个所述第二沟槽隔离之间未设置所述第三沟槽隔离。
9.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，距离所述光学黑体区最近的前若干个所述第一沟槽隔离和距离所述虚设像素区最近的前若干个所述第二沟槽隔离之间未设置所述第三沟槽隔离。
10.如权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离的深度为所述第三沟槽隔离的深度的1.5～3倍。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
