[发明专利]在线监控存储器ONO膜层质量的方法、装置及可读存储介质

权利要求书

1.一种在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，包括：

提供一具有ONO膜层的监控片，所述监控片上的ONO膜层与制作存储器的晶片上的ONO膜层一道形成，所述ONO膜层包括氧化硅膜层、氮化硅膜层和氧化硅膜层；

对所述监控片进行预操作，所述预操作包括对所述监控片进行初始编程操作和初始擦除操作；

确定所述预操作之后的所述监控片对应的第一阈值电压窗口；

对所述预操作之后的所述监控片进行第一次烘烤处理，并确定所述第一次烘烤处理之后的所述监控片对应的第二阈值电压窗口；

判断所述第二阈值电压窗口是否满足第二阈值电压窗口标准要求，并以此评估所述监控片上的ONO膜层的质量，以监控存储器ONO膜层质量。

2.如权利要求1所述的在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，判断所述第二阈值电压窗口是否满足第二阈值电压窗口标准要求，并以此评估所述监控片上的ONO膜层质量，以监控存储器ONO膜层质量的步骤，包括：

若所述第二阈值电压窗口不小于所述第二阈值电压窗口的标准值，则确定所述制作存储器的晶片上的ONO膜层具有符合存储器设计要求的数据保持能力特性。

3.如权利要求1所述的在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，确定所述预操作之后的所述监控片对应的第一阈值电压窗口的步骤，包括：

在对所述监控片进行初始编程操作之后，获取初始编程操作之后的所述监控片对应的第一电容-电压曲线，并将所述第一电容-电压曲线中的峰值点对应的第一电压值作为所述监控片的初始编程状态电子电压；

在对所述监控片进行初始擦除操作之后，获取初始擦除操作之后的所述监控片对应的第二电容-电压曲线；并将所述第二电容-电压曲线中的峰值点对应的第二电压值作为所述监控片的初始擦除状态电子电压；

将所述初始编程状态电子电压与所述初始擦除状态电子电压进行相减运算，并将相减之后得到的电压作为第一阈值电压窗口。

4.如权利要求1所述的在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，对所述监控片进行预操作之后，还包括：

对所述预操作之后的监控片进行预设次数的循环编程擦除操作，得到循环编程擦除之后的监控片；

确定所述循环编程擦除之后的监控片对应的第三阈值电压窗口；

判断所述第三阈值电压窗口是否满足第三阈值电压窗口标准要求，并以此评估所述监控片上的ONO膜层在循环编程擦除后的循环可靠性特性。

5.如权利要求4所述的在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，在确定所述循环编程擦除之后的监控片对应的第三阈值电压窗口之后，还包括：

对所述循环编程擦除之后的监控片进行第二次烘烤处理，并确定所述第二次烘烤处理之后的所述监控片对应的第四阈值电压窗口；

判断所述第四阈值电压窗口是否满足第四阈值电压窗口标准要求，并以此评估所述监控片上的ONO膜层在循环编程擦除后的数据保持能力特性。

6.如权利要求5所述的在线监控存储器ONO膜层质量的方法，其特征在于，所述第一次烘烤处理和所述第二次烘烤处理的工艺条件分别为：温度的取值范围为：80℃～250℃；操作时间范围为：100h～250h。

7.一种在线监控存储器ONO膜层质量的装置，其特征在于，所述装置包括：

监控片提供模块，用于提供一具有ONO膜层的监控片，所述监控片上的ONO膜层与制作存储器的晶片上的ONO膜层一道形成，所述ONO膜层包括氧化硅膜层、氮化硅膜层和氧化硅膜层；

预操作模块，用于对所述监控片进行预操作，所述预操作包括对所述监控片进行初始编程操作和初始擦除操作；

第一确定模块，用于确定所述预操作之后的所述监控片对应的第一阈值电压窗口；

第一烘烤处理模块，用于对所述预操作之后的所述监控片进行第一次烘烤处理，并确定所述第一次烘烤处理之后的所述监控片对应的第二阈值电压窗口；

第一判断模块，用于判断所述第二阈值电压窗口是否满足第二阈值电压窗口标准要求，并以此评估所述监控片上的ONO膜层的质量，以监控存储器ONO膜层质量。