[发明专利]表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种表面增强拉曼散射基底，其特征在于，包括：

支撑衬底，

呈直立状地生长于所述支撑衬底上的半导体纳米片阵列；以及，

沉积于所述半导体纳米片阵列上的贵金属层。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述半导体纳米片阵列中的纳米片的厚度为20nm～30nm，高度为80μm～120μm。

3.根据权利要求1或2所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述半导体纳米片阵列中的纳米片为硒化锡纳米片。

4.根据权利要求3所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述硒化锡纳米片中，Sn与Se的原子比为1：1.6～2.2。

5.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述贵金属层的厚度为4nm～28nm。

6.根据权利要求5所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述贵金属层的材料为金或银。

7.一种如权利要求1-6任一所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括：

提供支撑衬底；

在所述支撑衬底上生长形成所述半导体纳米片阵列；

在所述半导体纳米片阵列上沉积形成所述贵金属层。

8.根据权利要求7所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，应用分子束外延工艺在所述支撑衬底上生长形成所述半导体纳米片阵列，生长时间为1min～30min；应用溅射工艺在所述半导体纳米片阵列上沉积所述贵金属层，沉积时间为1min～7min。

9.一种如权利要求1-6任一所述的表面增强拉曼散射基底在疟疾临床检测装置中的应用，其特征在于，所述表面增强拉曼散射基底被配置为用于检测待测样品的拉曼散射信号。

10.一种如权利要求1-6任一所述的表面增强拉曼散射基底在检测待测物的拉曼信号的应用，其特征在于，检测步骤包括：在所述表面增强拉曼散射基底的贵金属层的表面上滴加待测物溶液，干燥后，用拉曼光谱仪检测所述待测物的拉曼散射信号。