[发明专利]发光元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010885118.2 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN112447892A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 陈正育;叶慧君;沈建赋 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/38;H01L27/15;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

发明公开一种发光元件及其制造方法,其中该发光元件包含:一第一边缘以及一第二边缘相对于第一边缘;一基板,包含一上表面;多个发光单元排列成N行,位于上表面上,其中N行包含一第一发光单元行位于第一边缘以第N发光单元行位于第二边缘;以及多个导电结构,位于发光单元上并电连接发光单元;其中,第一发光单元行中包含一第一发光单元,且第一发光单元包含一凹口,位于第一边缘且具有一底部暴露上表面。

技术领域

本发明涉及一种发光元件,更详言之,是涉及一种包含多个发光单元的发光元件。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LED)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性,例如具有稳定的发光波长等特性,故已被广泛的应用于家用装置、照明装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展,固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步。

现有的发光二极管芯片包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当通过电极对发光二极管芯片通电,且在一特定值的顺向偏压时,来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。

高压发光二极管芯片,是在单一基板上,将发光二极管芯片面积分割成多个发光单元之后串联而成。相较于传统单颗发光二极管芯片,在相同芯片尺寸下,高压发光二极管芯片可在低电流高电压下工作,且具有较大输出功率。高压发光二极管芯片能够依照不同输入电压的需求而决定其发光单元数量与大小等,并可针对每个发光单元加以优化,具有能操作在高电压下、体积小、对封装及光学设计具有极佳的运用弹性等优点。

发明内容

一种发光元件,包含:一第一边缘以及一第二边缘相对于第一边缘;一基板,包含一上表面;多个发光单元排列成N行,位于上表面上,其中N行包含一第一发光单元行位于第一边缘以第N发光单元行位于第二边缘;以及多个导电结构,位于发光单元上并电连接发光单元;其中,第一发光单元行中包含一第一发光单元,且第一发光单元包含一凹口,位于第一边缘且具有一底部暴露上表面。

一种发光元件,包含:一第一边缘以及一第二边缘相对于第一边缘;一基板,包含一上表面;多个发光单元排列成N行,位于上表面之上,其中N行发光单元包含一第一行发光单元行位于第一边缘以及一第N行发光单元行位于第二边缘;以及多个导电结构,位于发光单元上并电连接发光单元;其中,第一行发光单元行中包含一第一发光单元,且第一发光单元包含一凹口;第N行发光单元行中包含一第二发光单元、一第三发光单元以及一沟槽位于第二发光单元与第三发光单元之间;以及凹口位于沟槽的一延长线上。

附图说明

图1A至图1E为本发明一实施例发光元件1制造方法中各步骤的上视图;

图2A至图2F为本发明一实施例发光元件1制造方法中各步骤的截面图;

图3为本发明一实施例发光元件1的上视图;

图4A为图1E的局部放大图;

图4B为比较例中一发光元件制造方法的局部放大上视图;

图5为本发明一实施例发光元件1的扫描式电子显微影像(Scanning ElectronMicroscope;SEM)图;

图6A为本发明另一实施例发光元件2的上视图;

图6B为本发明另一实施例发光元件2制造方法的上视图;

图6C为图6B的局部放大图。

符号说明

1、2 发光元件

10 基板

10a 基板上表面

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