[发明专利]旋转角确定测量系统中的集成式旋转角确定传感器单元在审
申请号: | 202010885400.0 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112444192A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | Y·邦达尔;M·C·迈尔;H·C·P·迪特曼 | 申请(专利权)人: | TDK-迈克纳斯有限责任公司 |
主分类号: | G01B7/30 | 分类号: | G01B7/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩长永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旋转 确定 测量 系统 中的 集成 传感器 单元 | ||
1.一种集成式旋转角确定传感器单元(10),
-所述旋转角确定传感器单元位于用于旋转角确定的测量系统中,所述测量系统具有能够围绕旋转轴线(15)旋转的轴,所述轴具有发送器,
-所述旋转角确定传感器单元具有构造为芯片裸片的第一半导体层(20),所述第一半导体层具有垂直于所述旋转轴线(15)布置的上侧和下侧以及单片式地构造在所述第一半导体层(20)中的第一霍尔传感器系统(50),并且
-所述旋转角确定传感器单元具有构造为芯片裸片的第二半导体层(22),所述第二半导体层具有垂直于所述旋转轴线(15)布置的上侧和下侧以及单片式地构造在所述第二半导体层(22)中的第二霍尔传感器系统(60),其中,
-每个霍尔传感器系统(50、60)至少具有第一霍尔传感器(52、62)、第二霍尔传感器(54、64)和第三霍尔传感器(56、66),
-所述第一霍尔传感器系统(50)的三个霍尔传感器(52、54、56)沿着一第一圆区段(70)构造,所述第一圆区段平行于所述第一半导体层(20)的上侧(30)延伸并且相对于所述旋转轴线(15)同心地布置,
-所述第二霍尔传感器系统(60)的三个霍尔传感器(62、64、66)沿着一第二圆区段(80)构造,所述第二圆区段平行于所述第二半导体层(22)的上侧延伸并且相对于所述旋转轴线(15)同心地布置。
2.根据权利要求1所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,霍尔传感器(52、54、56、62、64、66)相同地构造,并且所述第一圆区段(70)具有大于或小于所述第二圆区段(80)的半径,或者所述第一圆区段(70)和所述第二圆区段(80)具有相同的半径。
3.根据权利要求1或2所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,两个芯片裸片并排地布置在一金属载体(LF)上,并且所述第一圆区段(70)和所述第二圆区段(80)共同构造一整圆,并且所述第一霍尔传感器系统(50)的霍尔传感器(52、54、56)和所述第二霍尔传感器系统(60)的霍尔传感器(62、64、66)沿着同心地围绕所述旋转轴线(15)构造的一共同的整圆布置。
4.根据权利要求3所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,霍尔传感器(52、54、56、62、64、66)旋转对称地布置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,所述旋转角确定传感器单元(10)具有第一磁阻传感器单元(100),所述第一磁阻传感器单元具有至少一个磁阻传感器,并且所述第一磁阻传感器单元(100)构造在所述第一半导体层(20)的上侧上和所述第二半导体层(22)的上侧上。
6.根据权利要求1所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,所述第一半导体层(20)的下侧布置在一金属载体(LF)的上侧上,并且所述第二半导体层(22)的下侧布置在所述金属载体的下侧上,并且所述旋转轴线(15)的假想延长线穿过两个半导体层(20、22)。
7.根据权利要求1或6所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,所述第一霍尔传感器系统(50)的霍尔传感器(52、54、56)沿着所述第一圆区段(70)构造第一半圆,并且所述第二霍尔传感器系统(60)的霍尔传感器(62、64、66)沿着所述第二圆区段(80)构造第二半圆,其中,这两个半圆分别同心地围绕所述旋转轴线(15)布置。
8.根据权利要求1或权利要求6或权利要求7所述的集成式旋转角确定传感器单元(10),其特征在于,设置有第一磁阻传感器单元(100),所述第一磁阻传感器单元构造在所述第一半导体层(20)的上侧上并且具有至少一个磁阻传感器的,和/或设置有第二磁阻传感器单元(102),所述第二磁阻传感器单元构造在所述第二半导体层(22)的上侧上并且具有至少一个磁阻传感器的。
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