[发明专利]一种防电磁辐射的超薄薄膜、装置、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202010885668.4 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111970915A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 路光;严发宝;苏艳蕊;陈耀;武昭 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/30;C23C14/35;C03C17/36 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 264209 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁辐射 超薄 薄膜 装置 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：为叠层结构，依次设置第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和第三介质层；
介质层的材料为可见光波段透明的介质材料；
第一介质层和第三介质层的厚度相同，且均小于第二介质层的厚度。
2.根据权利要求1所述的防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：第一介质层和第三介质层的厚度为20-60nm。
3.根据权利要求1所述的防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：第二介质层的厚度为60-200nm。
4.根据权利要求1所述的防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：第一金属层和第二金属层的厚度为8-15nm。
5.根据权利要求1所述的防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：可见光波段透明的介质材料为氧化硅、氧化钛、氧化铝、ITO或GZO。
6.根据权利要求1所述的防电磁辐射的超薄薄膜，其特征在于：金属层的材料为金、银、铜或铝。
7.一种防电磁辐射装置，其特征在于：包括基体和附着于基体上的所述超薄薄膜。
8.根据权利要求7所述的防电磁辐射装置，其特征在于：所述基体为玻璃或塑料；
进一步的，所述基体为板体结构。
9.权利要求1-6所述防电磁辐射的超薄薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
采用电子束蒸发镀膜技术或磁控溅射技术制备。
10.权利要求1-6所述防电磁辐射的超薄薄膜在微波暗室、电磁兼容室的观察窗中的应用，或在保密室防护玻璃中的应用。
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