[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁，并且各个第一子侧壁包括凹面。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年8月30日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2019-0106973的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及半导体，更具体地，涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

趋势是使半导体更高度集成，同时制造成本便低。这些高度集成的半导体使更大量的结构装配成更小的尺寸，从而缩小装置的间距。

发明内容

一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁，并且各个第一子侧壁包括凹面。

一种半导体装置包括具有有源区域和场区域的衬底。至少一个有源图案在有源区域中从衬底突出并在第一方向上延伸。栅电极在有源区域中与有源图案交叉并在第二方向上延伸。源极/漏极图案设置在有源图案上。栅极触点连接到栅电极并且源极/漏极触点连接到源极/漏极图案。栅电极的一部分延伸到场区域。栅极触点的至少一部分设置在有源区域上。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构以及从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第二方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构包括在第二方向上突出的至少一个顶点部。各个顶点部被限定在相邻的曲面相遇的地方。

一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案。源极/漏极触点连接到源极/漏极图案并且包括下触点结构和上触点结构，该上触点结构从下触点结构突出并且包括此背离的第一侧壁和第二侧壁彼。触点绝缘衬垫沿着上触点结构的第一侧壁和上触点结构的第二侧壁延伸。上触点结构的第一侧壁和上触点结构的第二侧壁中的每一个包括多个子侧壁，并且各个子侧壁具有凹面。

一种制造半导体装置的方法包括在层间绝缘膜中形成连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。在源极/漏极图案上形成暴露源极/漏极触点的一部分的掩模图案。通过使用掩模图案去除源极/漏极触点的一部分来形成第一子凹陷。沿着第一子凹陷的侧壁和底表面形成第一子绝缘衬垫。通过各向异性地蚀刻第一子绝缘衬垫在由源极/漏极触点限定的第一子凹陷的侧壁上形成第一绝缘衬垫图案。通过使用掩模图案去除源极/漏极触点的一部分来形成第二子凹陷并沿着第二子凹陷的侧壁和底表面形成第二子绝缘衬垫。

附图说明

当结合附图考虑本公开及其许多伴随方面时，通过参照以下详细描述将变得更好理解，因此，将容易获得本公开及其许多伴随方面的更完整理解，附图中：

图1是示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置的布局图；

图2是沿图1的线A-A截取的截面图；

图3是图2的部分P的放大图；

图4、图5和图6分别是沿图1的线B-B、C-C和D-D截取的截面图；

图7至图10分别示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置；

图11至图13分别示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置；

图14至图18分别示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置；

图19和图20分别示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置；

图21A至图22分别示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置；