[发明专利]半导体器件和其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体器件，包含：沟道区，位于源极区与漏极区之间；栅极，位于沟道区上方；介电层，位于栅极上方；电容场板，位于介电层上方；以及字线，电耦合到电容场板。

技术领域

本揭露实施例涉及一种半导体器件和其形成方法。

背景技术

半导体组件实施于众多电子器件中，例如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统，以及各种其它工业、商业以及消费电子产品。半导体领域中的技术发展已经使得电子电路具有比前几代的那些电子电路更多的组件。此外，每半导体芯片区域的组件的数量持续增加。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体器件包括晶体管、介电层、电容场板及字线。晶体管包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、沟道区以及栅极电极。沟道区位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极电极位于沟道区上方。介电层位于栅极电极上方。电容场板位于介电层上方。字线电耦合到电容场板。

根据本发明的实施例，一种形成半导体器件的方法包括至少以下步骤。在晶体管的栅极电极和第一源极/漏极区上方形成第一介电层。去除在第一源极/漏极区上方的第一介电层的第一部分以暴露第一源极/漏极区的第一部分。在去除第一介电层的第一部分之后在第一介电层上方形成电容场板。将字线耦合到电容场板。

根据本发明的实施例，一种半导体器件包括晶体管、电容场板及字线。晶体管包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、沟道区以及栅极电极。第一源极/漏极区耦合到源极线。沟道区位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极电极位于沟道区上方。电容场板上覆于栅极电极。字线耦合到栅极电极并且上覆于栅极电极。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了讨论清楚起见，可任意地增大或减小各个特征的尺寸。

图1A是根据一些实施例的沿图1B中的线X-X截取的半导体器件的横截面图。

图1B是根据一些实施例的半导体器件的俯视图。

图2到图11是根据一些实施例的沿图1B中的线X-X截取的处于各个制造阶段的半导体器件的横截面图。

图12示出根据一些实施例的用于执行半导体器件的存储器功能的各种接触信号。

图13示出根据一些实施例的半导体器件。

图14是根据一些实施例的沿图13中的线Y-Y截取的半导体器件的横截面图。

图15到图16是根据一些实施例的沿图1B中的线X-X截取的处于各个制造阶段的半导体器件的横截面图。

附图标号说明

100、1300：半导体器件；

102、1302：衬底；

104：埋层；

106a、106b、106c、1308：隔离区；

107、1310：阱；

108：掺杂区；

110a、1312a：第一源极/漏极区；

110b、1312b：第二源极/漏极区；

112a：第一离子植入区；

112b：第二离子植入区；

114、1400：沟道区；

116：栅极电极；

118、1004：长度；