[发明专利]半导体装置及布局设计方法

说明书

公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。

本申请要求于2019年9月3日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0108535号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置和一种布局设计方法。

背景技术

随着由于电子技术的发展而导致近来的半导体元件的快速缩小尺寸，要求半导体装置更加高度集成且消耗更少的功率。为了满足对更高集成度和更低功耗的需求，半导体装置的特征尺寸不断减小。

然而，减小的特征尺寸导致相邻图案之间的余量不足。

发明内容

本公开的方面提供了一种在相邻的图案之间具有改善的余量的半导体装置。

本公开的方面也提供了一种通过对由于不足的工艺余量而容易发生工艺缺陷的区域执行布局校正而改善相邻的图案之间的余量的布局设计方法。

然而，本公开的方面不限于在这里阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面将对于本公开所属领域的普通技术人员而言变得更加明显。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，其中，第一单位单元包括：第一鳍图案，沿第一方向纵向延伸；第一栅极图案，沿第二方向纵向延伸以与第一鳍图案交叉；以及第一接触件，设置在第一栅极图案的一侧上以接触第一鳍图案，其中，第二单位单元包括：第二鳍图案，沿第一方向纵向延伸；第二栅极图案，沿第二方向纵向延伸以与第二鳍图案交叉；以及第二接触件，设置在第二栅极图案的一侧上以接触第二鳍图案，并且其中，第一栅极图案和第二栅极图案彼此间隔开并且位于沿第二方向纵向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件彼此间隔开并且位于沿第二方向纵向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件彼此连接。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极图案和第二栅极图案，位于沿第一方向延伸的第一直线上并且沿第一方向纵向延伸；第一接触件和第二接触件，位于沿第一方向延伸的第二直线上并且沿第一方向纵向延伸；以及中间接触件，设置在第一接触件和第二接触件上并且沿第一方向延伸以将第一接触件和第二接触件彼此连接，其中，第一栅极图案与第二栅极图案之间的第一间隙小于第一接触件与第二接触件之间的第二间隙。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍图案、第二鳍图案和第三鳍图案，顺序地布置；第一接触件、第二接触件和第三接触件，分别接触第一鳍图案、第二鳍图案和第三鳍图案；第一中间接触件，设置在第一接触件和第二接触件上并且直接接触第一接触件和第二接触件；第二中间接触件，设置在第三接触件上，形成在与第一中间接触件的竖直水平相同的竖直水平处，并且直接接触第三接触件，其中，第一中间接触件连接到第一电压，并且第二中间接触件连接到比第一电压高的第二电压。