[发明专利]一种Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 202010886815.X 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN112038600B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 周昊宸;周向清;王鹏;周进辉 申请(专利权)人: 湖南宸宇富基新能源科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/05;C01B32/162;C01B32/205;C01B33/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 盛武生;魏娟
地址: 415137 湖南省常德市常德国*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 si cnt 石墨 复合 负极 材料 及其 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤(1):将多孔硅预先负载过渡金属源,得到硅/过渡金属源材料;所述的多孔硅由纳米硅在M金属的水溶性盐、氧化剂、刻蚀剂的溶液中进行金属催化刻蚀得到;所述的多孔硅和过渡金属源的重量比为1:0.05~0.5;

步骤(2):将硅/过渡金属源材料、石墨前驱体、粘合剂、碳源混合造粒,制得负极前驱体颗粒;

步骤(3):将负极前驱体颗粒经一段负压烧结后再经二段常压焙烧,将焙烧料经洗涤、干燥即得;

一段负压烧结过程的压力为50~104Pa;烧结温度为500~800℃;

二段常压烧结的温度为烧结温度为500~1200℃。

2.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述的M为Ag、Cu、Fe、Pt、Au中的至少一种。

3.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述的氧化剂为H2O2

4.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,刻蚀剂为HF。

5.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述的过渡金属源为过渡金属元素的单质、合金、氧化物、盐中的至少一种。

6.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述的过渡金属元素为铁、钴、镍中的至少一种。

7.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,将多孔硅和过渡金属源进行液相混合,随后脱除溶剂,记得所述的硅/过渡金属源材料。

8.如权利要求7所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述的液相混合过程采用的溶剂为水、乙醇、乙二醇、异丙醇中的至少一种。

9.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的石墨前驱体为石油焦、针状焦、天然石墨、人造石墨中的一种或者几种;

所述的粘合剂为聚丙烯、海藻酸钠、聚偏二氟乙烯中的至少一种;

所述的碳源为三聚氰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚丙烯、淀粉、蔗糖、葡萄糖、沥青中的至少一种;

多孔硅与石墨前驱体的质量比为1:0.5~5;

石墨前驱体与粘合剂的质量比为1:0.05~0.2;

石墨前驱体与碳源的质量比为1:0.05~0.5。

10.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,一段负压烧结过程的压力为50~500Pa;烧结温度为600~800℃。

11.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,二段常压烧结的温度为烧结温度为800~1200℃。

12.如权利要求1所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,洗涤过程包括酸洗以及水洗至中性的步骤;

所述的酸洗中的酸液为具有氧化性的酸液。

13.如权利要求12所述的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,洗涤过程的酸液为硝酸溶液,或者包含双氧水的酸液。

14.一种权利要求1~13任一项所述的制备方法制得的Si/CNT/石墨@C复合硅碳负极材料。

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