[发明专利]一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法有效
申请号: | 202010887521.9 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112164590B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 王国平;谢盼盼;林晓辉;陈巧琳;张秋水;连金水;刘建安 | 申请(专利权)人: | 福建国光新业科技有限公司 |
主分类号: | H01G9/055 | 分类号: | H01G9/055;H01G9/045;H01G9/15;H01G9/00 |
代理公司: | 福州顺升知识产权代理事务所(普通合伙) 35242 | 代理人: | 陈为志 |
地址: | 350015 福建省福州市马尾区江*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 容量 聚合物 片式叠层 铝电解电容器 制备 方法 | ||
本发明公开了一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法,采用浸渍导电聚合物单体并烘干的方式对化成箔进行表面处理,取代偶联剂前处理工艺,同时匹配化学聚合方式,辅以阶跃式电化学聚合方式,二者协同作用,大大提高化成箔的容量引出率,从而提高成品容量,满足低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器对容量的要求,提升成品良率,并带来可观经济效益。
技术领域
本发明涉及铝电解电容器制备技术领域,具体为一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法。
背景技术
聚合物片式叠层铝电解电容器受产品结构和制备工艺影响,在化成箔比容和封装尺寸固定、堆叠层数受限的情况下,其电容量主要取决于化成箔的容量引出率,关键工序为化成箔氧化层的表面处理和导电聚合物层的制备。现有技术为提升化成箔的容量引出率,一般采用偶联剂对化成箔氧化层进行表面处理,再结合化学聚合和电化学聚合制备导电聚合物层。
然而因不同化成电压的化成箔氧化层的孔洞构造差异较大,在中高压化成箔(化成电压9VF以上,用于制备工作电压6.3V以上产品)上采用偶联剂提高容量引出率,作用较为显著,容量引出率普遍可以提升至90%以上;但运用在极低压化成箔(化成电压3.5VF以下,用于制备工作电压2.5V及以下产品)上,其提升效果受限,不能满足更大容量的聚合物片式叠层铝电解电容器制备的需求。基于此,本发明设计了一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法,以解决上述技术问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种低压大容量聚合物片式叠层铝电解电容器的制备方法,包括以下步骤:
S1、对化成铝箔进行裁切处理,得到第一铝箔;
S2、在所述第一铝箔表面涂覆绝缘阻隔胶,并划分阳极区和阴极区,得到第二铝箔;
S3、通过再化成工艺,对第二铝箔阴极区侧面电介质层进行修复处理,得到第三铝箔;
S4、采用直接浸渍导电聚合物单体并烘干的方式对第三铝箔的阴极区进行表面处理,得到第四铝箔;
S5、通过化学聚合法,在所述第四铝箔的阴极区上形成第一导电聚合物层,得到第五铝箔;
S6、通过阶跃式电化学聚合法,在所述第五铝箔的阴极区上形成第二导电聚合物层,得到第六铝箔;
S7、在所述第六铝箔的阴极区上被制导电浆料,形成单个电容器芯子;
S8、将若干个所述电容器芯子经过叠层粘接在外设的引线框上,得到电容器芯包;
S9、对所述电容器芯包进行封装、老化及成型处理,得到聚合物片式叠层铝电解电容器。
进一步的,所述步骤S4中的导电聚合物单体的纯度大于99.5%,且所述步骤S4中的浸渍时间为55s-65s,烘干温度为35℃-45℃,烘干时间为3min-6min。
进一步的,步骤S5具体为:
S51、将所述第四铝箔的阴极区浸入氧化液,取出并烘干,得到第一中间铝箔;
S52、将所述第一中间铝箔浸入还原液,取出并烘干,得到第二中间铝箔;
S53、重复步骤S51-S52两次至十次后,结束操作,得到第五铝箔。
进一步的,所述氧化液由氧化剂和溶剂组成;所述氧化剂占比为0.1wt%-15wt%;所述氧化剂为有机磺酸的三价铁盐;所述溶剂为去离子水。
进一步的,所述还原液由导电聚合物单体和溶剂组成;所述导电聚合物单体占比为0.5wt%-5wt%;所述溶剂为无水乙醇和去离子水两者中的任一种或两种混合。
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