[发明专利]发光器件和包括该发光器件的设备

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；

数量为n的发光单元，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

数量为n-1的电荷产生单元，位于相邻的发光单元之间，

其中，n是2或更大的自然数，

所述发光单元均包括发射层，

所述电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、p型电荷产生层以及位于所述n型电荷产生层与所述p型电荷产生层之间的中间层，

所述p型电荷产生层包括第一材料和第二材料，

所述第一材料包括空穴传输有机化合物、无机绝缘化合物或它们的任何组合，

所述第二材料包括至少一种无机半导体化合物，

所述中间层包括第三材料，并且

所述第三材料选自于有机化合物、无机半导体化合物和无机绝缘化合物。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一材料的体积等于或大于所述第二材料的体积。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一材料包括所述空穴传输有机化合物，并且所述第一材料与所述第二材料的体积比在99:1至80:20的范围内，或者

所述第一材料包括所述无机绝缘化合物，并且所述第一材料与所述第二材料的体积比在99:1至50:50的范围内。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料是所述有机化合物。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料的带隙为2.5eV或更大。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料的最低未占分子轨道能级为-4.5eV至-6.5eV。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述n型电荷产生层包括第四材料和第五材料，

所述第四材料包括碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属、后过渡金属或它们的任何组合，并且

所述第五材料包括至少一种电子传输有机化合物。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第五材料的最低未占分子轨道能级小于所述第三材料的最低未占分子轨道能级。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第五材料的最低未占分子轨道能级与所述第三材料的最低未占分子轨道能级之间的差为1eV或更小。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，

所述第二电极是阴极，并且

所述发光器件包括：

第n发光单元，位于所述第一电极与所述第二电极之间；

第n-1发光单元，位于所述第一电极与所述第n发光单元之间；以及

第n-1电荷产生单元，位于所述第n发光单元与所述第n-1发光单元之间，

其中，所述第n发光单元包括第n发射层，所述第n-1发光单元包括第n-1发射层；

第n-1空穴传输区域位于所述第一电极与所述第n-1发射层之间；

第n-1电子传输区域位于所述第n-1发射层与所述第n-1电荷产生单元之间；

第n空穴传输区域位于所述第n-1电荷产生单元与所述第n发射层之间；以及

第n电子传输区域位于所述第n发射层与所述第二电极之间，

其中，空穴传输区域均独立地包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、第一缓冲层或它们的任何组合，并且

电子传输区域均独立地包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、第二缓冲层或它们的任何组合。