[发明专利]像素结构、显示面板、显示装置及制造、显示方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，其包括显示第一颜色的第一子像素、显示第二颜色的第二子像素、显示第三颜色的第三子像素和至少一个调控子像素；所述调控子像素显示所述第一颜色、第二颜色以及第三颜色中的至少其一；

所述调控子像素包括压电模块，所述压电模块用于感应所述像素结构所受应力并根据所受应力控制由所述压电模块组成的调控通路打开或关闭，以避免所述像素结构在弯曲时出现发黄或发青；

所述调控子像素还包括发光二极管，所述压电模块用于感应所述像素结构所受应力并根据所受应力打开或关闭，以控制所述发光二极管的导通与截止，以使所述调控子像素点亮或关闭；

所述压电模块为压电场效应晶体管，所述压电场效应晶体管在受到应力时产生压电势，所述应力为所述像素结构所属的显示面板由于弯曲而产生的应力，所述压电势为所述压电场效应晶体管的栅极电压；

所述压电势大于阈值电压时，所述压电场效应晶体管的源漏极产生导通电流，调控通路打开，进而所述发光二极管导通，以使所述调控子像素点亮；

所述调控通路处于导通状态时，通过所述调控子像素的数据信号调整通过所述发光二极管的电流，以调整所述调控子像素的亮度。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述压电场效应晶体管的栅极采用向异性正六面体、非中心对称结构的压电半导体材料，所述压电半导体材料在受到应力时产生压电势。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述压电半导体材料包括纳米氧化锌材料。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述压电场效应晶体管处于无应力状态时，所述压电场效应晶体管的栅极不产生所述压电势，所述压电场效应晶体管的源漏极之间不产生导通电流，所述调控通路关闭，且所述发光二极管截止。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一颜色、所述第二颜色及所述第三颜色分别为红、绿、蓝中的一种且互不相同，所述调控子像素显示红、绿、蓝中的至少其一。

6.一种显示面板，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-5任一项所述的像素结构。

7.一种显示装置，其特征在于，包括至少一个如权利要求6的显示面板。

8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

对显示面板弯曲处进行光谱检测，确定衰减像素；

根据所述衰减像素在所述显示面板弯曲处至少一个像素中添加调控子像素，所述调控子像素通过匹配的压电模块进行点亮或关闭，所述压电模块用于根据受到的应力控制所述调控子像素的调控通路打开或关断，以避免所述显示面板在弯曲时出现发黄或发青；

其中，所述调控子像素还包括发光二极管，所述压电模块用于感应像素结构所受应力并根据所受应力打开或关闭，以控制所述发光二极管的导通与截止，以使所述调控子像素点亮或关闭；

所述压电模块为压电场效应晶体管，所述压电场效应晶体管在受到应力时产生压电势，所述应力为所述像素结构所属的显示面板由于弯曲而产生的应力，所述压电势为所述压电场效应晶体管的栅极电压；

所述压电势大于阈值电压时，所述压电场效应晶体管的源漏极产生导通电流，调控通路打开，进而所述发光二极管导通，以使所述调控子像素点亮；

所述调控通路处于导通状态时，通过所述调控子像素的数据信号调整通过所述发光二极管的电流，以调整所述调控子像素的亮度。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述压电模块为场效应晶体管，所述压电场效应晶体管的栅极采用向异性正六面体、非中心对称结构的压电半导体材料制作而成，所述压电半导体材料在受到应力时使所述压电场效应晶体管的栅极产生压电势。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述压电半导体材料包括纳米氧化锌材料，所述压电场效应晶体管的栅极采用纳米氧化锌材料制作而成。

11.一种显示面板的控制方法，其特征在于，包括：

当像素单元的调控子像素受到弯曲产生的应力时，根据所述应力控制所述调控子像素的调控通路打开，以避免显示面板在弯曲时出现发黄或发青；

根据接收的数据信号对所述调控子像素的亮度进行调整；

所述弯曲处产生的应力使所述调控子像素的压电模块产生压电势，当所述压电势大于阈值电压时，所述压电模块形成的调控通路由关闭状态更改为打开状态，以点亮所述调控子像素；

点亮所述调控子像素后，根据接收的数据信号对所述调控子像素的亮度进行调整。