[发明专利]具有大波束角的高增益微波探测模块

权利要求书

1.一具有大波束角的高增益微波探测模块，其特征在于，包括：

一天线体，其中所述天线体包括呈平面状态的一辐射源和一参考地，其中所述辐射源与所述参考地相间隔而于所述辐射源与所述参考地之间形成有一辐射缝隙，其中所述辐射缝隙被设置满足具有大于等于0.8mm的缝隙高度，其中所述辐射源具有一馈电点和至少一参考电平点，其中所述馈电点偏离于所述辐射源的物理中心点，其中以所述辐射源的所述馈电点至所述辐射源的物理中心点为一极化方向，以所述辐射源上垂直于所述极化方向的方向为一非极化方向，其中所述辐射源具有位于所述极化方向的两相对的极化边，和位于所述非极化方向的两相对的非极化边；和

一处理单元，其中所述处理单元具有一正极连接端、一地极连接端以及一信号端，其中所述辐射源于所述馈电点被电性连接于所述处理单元的所述信号端，其中所述处理单元被设置允许分别于所述正极连接端和所述地极连接端被电性连接于相应电源的正极和地极而被供电，并在被供电的状态于所述信号端与所述正极连接端或所述地极连接端之间产生一馈电信号，其中以λ为与所述馈电信号的频率相对应的波长参数，其中各所述极化边的边长参数L1被设置满足λ/4≤L1≤λ/2，各所述非极化边的边长参数L2被设置满足3λ/16≤L2≤5λ/16，其中所述参考地的对应于相应所述极化边的边与相应所述极化边之间的距离参数D1满足D1≥λ/16，所述参考地的对应于相应所述非极化边的边与相应所述非极化边之间的距离参数D2满足D2≥λ/16，其中在所述处理单元被供电的状态，所述辐射源以分别于所述馈电点和所述参考电平点被电性连接于所述馈电信号的两极的状态于所述参考电平点与所述正极连接端或所述地极连接端电性相连。

2.根据权利要求1所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述天线体进一步包括一辐射源基板，其中所述辐射源基板被固定设置于所述辐射源和所述参考地之间以形成所述辐射源与所述参考地相间隔的状态。

3.根据权利要求2所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中以所述辐射源上穿过所述辐射源的物理中心点且垂直于所述馈电点与所述辐射源的物理中心点连线的直线为所述辐射源的零电位线，其中所述参考电平点位于所述辐射源的所述零电位线。

4.根据权利要求3所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述参考电平点的数量为一个，其中所述参考电平点位于所述辐射源的物理中心点。

5.根据权利要求3所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述参考电平点的数量为两个，其中两个所述参考电平点以所述辐射源的物理中心点对称分布于所述辐射源的所述零电位线。

6.根据权利要求5所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述辐射源的在所述零电位线上的两所述非极化边被内凹地设置。

7.根据权利要求6所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中以所述辐射源的物理中心点对称分布于所述辐射源的零电位线的两所述参考电平点形成于所述辐射源的沿所述零电位线方向的两侧缘。

8.根据权利要求5所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中以所述辐射源的物理中心点对称分布于所述辐射源的零电位线的两所述参考电平点形成于所述辐射源的沿所述零电位线方向的两侧缘。

9.根据权利要求3所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述辐射源基板被设置具有大于等于0.8mm的厚度规格。

10.根据权利要求9所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述处理单元被设置以处于C波段和X波段的频率范围内的ISM频段的频率输出所述馈电信号。

11.根据权利要求10所述的具有大波束角的高增益微波探测模块，其中所述辐射源基板被设置在所述馈电信号的频率处于C波段的频率范围内的ISM频段时具有大于等于1.0mm的厚度规格。