[发明专利]提高效率的经混淆逻辑到物理映射管理在审
申请号: | 202010888767.8 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112445721A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | N·格勒斯;J·S·帕里 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/1009 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提高效率 混淆 逻辑 物理 映射 管理 | ||
本申请针对提高效率的经混淆逻辑到物理映射管理。例如,可跟踪对应于存储器装置的L2P映射的经混淆区域的活动。可更新所述经混淆区域与由所述活动导致的L2P映射之间的不连续性记录。可基于所述不连续性记录中的不连续性水平对所述经混淆区域进行排序。当标识到空闲周期时,基于所述排序从所述经混淆区域选择且刷新经混淆区域。
技术领域
本申请涉及存储器领域,并且更具体地涉及针对提高效率的混淆逻辑到物理映射管理的技术。
背景技术
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器需要功率来维持其数据,并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
非易失性存储器在不被供电时可保留所存储的数据,并且包含闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器,诸如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或3D XPointTM存储器等。
存储器通常由虚拟逻辑块和物理块来描述和组织。虽然物理块是指存储器装置中的物理结构(例如,位置)(例如,其地址),但逻辑块是向物理块提供灵活接口的概念类似物。因此,举例来说,如果存储器装置将数据从一个物理块移动到另一物理块(例如以垃圾收集第一物理块),那么可在不中断经由逻辑块存取数据的主机操作的情况下转移从第一物理块到相应逻辑块的关系。物理块和逻辑块之间的关系通常被维持在数据结构中,该数据结构可被称为逻辑到物理(L2P)映射(例如,表、列表、字典或其它数据结构)。随着存储器装置的物理结构的尺寸和复杂性增加,L2P映射通常也增加。当存储器装置控制器具有有限的容量来管理大的L2P映射时,这可能是个问题。
发明内容
在一个方面中,本申请针对一种实施经混淆逻辑到物理(L2P)映射管理的存储器装置,所述存储器装置包括:处理电路系统;及包含指令的存储装置,当由所述处理电路系统执行时,所述指令将所述处理电路系统配置为:跟踪存储器装置中的活动,所述活动对应于所述存储器装置的L2P映射的经混淆区域,所述L2P映射被存储在所述存储器装置上;更新所述经混淆区域与由所述活动导致的L2P映射之间的不连续性记录;标识空闲周期;基于所述不连续性记录中的不连续性水平对所述经混淆区域进行排序;且响应于所述空闲周期,刷新基于所述排序从所述经混淆区域选择的经混淆区域。
在另一个方面中,本申请针对一种用于经混淆逻辑到物理(L2P)映射管理的方法,所述方法包括:跟踪存储器装置中的活动,所述活动对应于所述存储器装置的L2P映射的经混淆区域,所述L2P映射被存储在所述存储器装置上;更新所述经混淆区域与由所述活动导致的L2P映射之间的不连续性记录;标识空闲周期;基于所述不连续性记录中的不连续性水平对所述经混淆区域进行排序;且响应于所述空闲周期,刷新基于所述排序从所述经混淆区域选择的经混淆区域。
在另一个方面中,本申请针对一种机器可读介质,其包含用于实施经混淆逻辑到物理(L2P)映射管理的指令,当由处理电路系统执行时,所述指令使得所述处理电路系统执行包括以下项的操作:跟踪存储器装置中的活动,所述活动对应于所述存储器装置的L2P映射的经混淆区域,所述L2P映射被存储在所述存储器装置上;更新所述经混淆区域与由所述活动导致的L2P映射之间的不连续性记录;标识空闲周期;基于所述不连续性记录中的不连续性水平对所述经混淆区域进行排序;且响应于所述空闲周期,刷新基于所述排序从所述经混淆区域选择的经混淆区域。
附图说明
在不必按比例绘制的附图中,相同标号可在不同的视图中描述类似的部件。具有不同字母后缀的相同标号可表示类似部件的不同实例。附图以实例而非限制的方式一般性地说明了本文档中讨论的各种实施例。
图1说明了包含存储器装置的环境的实例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010888767.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体模块
- 下一篇:有机电致发光材料和装置