[发明专利]一种复合材料及其制备方法和用途在审
申请号: | 202010889717.1 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112030231A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 倪代秦;周振翔;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 | 申请(专利权)人: | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B35/00;C23C14/16;C23C18/42;C23C18/48;C25D3/50;C25D3/56 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 刘继富;王春伟 |
地址: | 100018 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合材料 及其 制备 方法 用途 | ||
本申请实施例提供了一种复合材料及其制备方法和应用,其中复合材料包括高熔点金属基体和耐氧化金属镀层,所述高熔点金属基体的熔点大于1800℃,所述耐氧化金属镀层的熔点大于1600℃。所述复合材料可以用于高温耐氧化的金属坩埚和发热体,在高温氧化气氛中生长单晶,大大降低了制作坩埚和发热体的成本,并具有更高的使用温度。
技术领域
本申请涉及单晶生长技术领域,特别是涉及一种复合材料坩埚和发热体及其制备方法和用途。
背景技术
在氧化物单晶生长技术领域,存在很多熔点在铂的最高使用温度1600℃以上(以下称为“高温”)的氧化物,为了防止有实用价值的氧化物单晶在生长过程中出现化合价降低、挥发等问题,常常需要在强氧化气氛(空气或纯氧气氛)中进行生长,例如:氧化镓(Ga2O3,熔点1795℃)、金红石(TiO2,熔点1850℃)、钛酸锶(SrTiO3,熔点2060℃)等。
目前常用的高温耐氧化坩埚和发热体材料基本上都是铂族金属(如铑、铱、铂等)及其合金,铂族金属性能优越、需求广泛,但是资源稀缺,价格昂贵,从而限制了其作为高温耐氧化坩埚和发热体材料使用,也大大阻碍了高温氧化物单晶生长工作的进展。因此,在氧化物单晶生长技术领域,开发出一种可以在高温和强氧化气氛中长期使用、并且廉价的坩埚和发热体材料,成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种复合材料及其制备方法和用途,用以解决高温耐氧化坩埚和发热体材料稀缺昂贵的问题。
本申请第一方面提供了一种复合材料,其包括高熔点金属基体和耐氧化金属镀层,其中,所述高熔点金属基体的熔点大于1800℃,所述耐氧化金属镀层的熔点大于1600℃。
在本申请的一些实施方式中,所述高熔点金属基体选自钨、铼、钽、钼、铌、铪、钒、铬、锆及其合金中的一种。
在本申请的一些实施方式中,上述合金选自钨铼合金、钨钼合金、钽铌合金、锆铪合金、钍钨合金、铈钨合金中的一种。
在本申请的一些实施方式中,所述耐氧化金属镀层选自铑、铱、铂及其合金中的一种。
在本申请的一些实施方式中,上述合金选自铂铑合金、铱铑合金、铂铱合金中的一种。
在本申请的一些实施方式中,所述高熔点金属基体的厚度为1-10mm,所述耐氧化金属镀层厚度为0.01-10μm。
本申请第二方面提供了一种制备本申请提供的复合材料的方法,其包括以下步骤:
(1)将基体的材料加工成厚度为1-10mm的基体;
(2)将所述基体进行表面预处理;
(3)在表面预处理后的基体表面形成耐氧化金属镀层,所述耐氧化金属镀层通过真空镀膜法、化学镀膜法或电解镀膜法中的任一种方法形成,所述耐氧化金属镀层的厚度为0.01-10μm。
本申请第三方面提供了一种金属坩埚,其包含本申请提供的复合材料。
本申请第四方面提供了上述金属坩埚用作单晶生长的用途。
本申请第五方面提供了一种发热体,其包含本申请提供的复合材料。
本申请第六方面提供了上述发热体用作单晶生长的用途。
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