[发明专利]一种锁胶阵列引线框架及其在芯片封装件中的应用

权利要求书

1.一种锁胶阵列引线框架，其特征在于，所述引线框架的衬底表面均匀开设有若干个锁胶孔，锁胶孔之间未开设孔洞的区域用于引线键合。

2.根据权利要求1所述的锁胶阵列引线框架，其特征在于，所述的若干个锁胶孔分布在整个引线框架的衬底表面。

3.根据权利要求1所述的锁胶阵列引线框架，其特征在于，所述的锁胶孔的横截面为圆形或正方形。

4.根据权利要求3所述的锁胶阵列引线框架，其特征在于，当锁胶孔的横截面为圆形时，锁胶孔横截面的直径为30um～300um；当锁胶孔的横截面为正方形时，锁胶孔横截面的边长为30um～300um。

5.根据权利要求3所述的锁胶阵列引线框架，其特征在于，两个相邻锁胶孔的最短间距为207um。

6.如权利要求1～5中所一项所述的锁胶阵列引线框架在芯片封装件中的应用。

7.如权利要求6所述的锁胶阵列引线框架在单芯片封装件中的应用，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将待封装芯片所在的晶圆减薄至目标厚度，之后在该晶圆背面粘贴DAF膜，得到粘贴有DAF膜的芯片；

步骤2，将粘贴有DAF膜的芯片粘接在锁胶阵列引线框架的衬底上，使DAF膜与所述的衬底接触；

步骤3，对待键合电路进行清洗，之后根据产品的设计要求，将待封装芯片与锁胶阵列引线框架的衬底、待封装芯片与引脚、锁胶阵列引线框架的衬底与引脚进行引线键合，得到键合后的电路；

步骤4，对键合后的电路进行等离子清洗，之后用塑封料进行塑封，塑封料嵌入到锁胶孔中，形成塑封体，将塑封体进行固化，之后依次进行电镀锡、激光打标、切筋成型，得到单芯片封装件。

8.根据权利要求7所述的锁胶阵列引线框架在单芯片封装件中的应用，其特征在于，步骤4中将塑封体在175℃固化8-9h。

9.如权利要求6所述的锁胶阵列引线框架在多芯片封装件中的应用，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将每个待封装芯片所在的晶圆减薄至目标厚度，之后在每个待封装芯片所在的晶圆背面粘贴DAF膜，得到若干个粘贴有DAF膜的芯片；

步骤2，根据产品设计要求，在锁胶阵列引线框架的衬底上粘接若干个粘贴有DAF膜的芯片，使DAF膜与所述的衬底接触；

步骤3，对待键合电路进行清洗，之后根据产品的设计要求，将待封装芯片与锁胶阵列引线框架的衬底、待封装芯片与引脚、锁胶阵列引线框架的衬底与引脚，以及若干个待封装芯片之间进行引线键合，得到键合后的电路；

步骤4，对键合后的电路进行等离子清洗，之后用塑封料进行塑封，塑封料嵌入到锁胶孔中，形成塑封体，将塑封体进行固化，之后依次进行电镀锡、激光打标、切筋成型，得到多芯片封装件。

10.根据权利要求9所述的锁胶阵列引线框架在多芯片封装件中的应用，其特征在于，步骤4中将塑封体在175℃固化8-9h。