[发明专利]一种高压氢钝化提升晶硅电池效率的方法

权利要求书

1.一种高压氢钝化提升晶硅电池效率的方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）选取P型硅作为基底，制备晶硅PN结，厚度为0.1-0.3mm；

（2）将PN结浸没于无水乙醇中，超声去除表面的有机物，超声功率0.3-0.5kW，时间10-20分钟；

（3）取出PN结，用氮气枪将样品表面吹干；

（4）将洁净的PN结放置于高压釜中，充入氢气，并加热，至气体温度为150℃-250℃，进行高压氢钝化；

（5）高压氢钝化完成后，在PN结正面，用电子束加热蒸发生长10-20nm二氧化硅、30-50nm二氧化钛、90-100nm二氧化硅，形成减反射层；PN结背面，用电子束蒸镀10-20nm氧化铝，形成钝化层；

（6）在PN结正面，用半自动丝网印刷机完成银栅电极刻印；在PN结背面，通过电阻加热蒸镀1-2μm铝膜；

（7）对完成的晶硅电池进行氮气或氩气保护气氛下的烧结处理，烧结处理温度为480-550℃，时间3-5min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，当气压为2MPa-3MPa时，钝化时间为1-6天；当气压为10³-10⁴大气压量级的高压时，钝化时间为1小时以内。

3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（5）中，蒸镀减反射层和钝化层在5×10^-4Pa以上真空环境中进行，且两者的蒸镀速度为0.10-0.18 nm/s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（6）中，所述Ag栅线电极厚度为2μm以上；蒸镀Al在5×10^-4Pa以上真空环境中进行，蒸镀速率在1nm/s以上。