[发明专利]化学机械研磨的方法及研磨系统在审
申请号: | 202010891822.9 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111975469A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 同小刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/10;B24B37/34;B24B37/005;B24B49/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 系统 | ||
1.一种化学机械研磨的方法,其特征在于,包括:
提供一具有多个研磨区域的研磨头,所述研磨区域施加的压力能够被独立控制;
利用所述研磨头对一薄膜进行研磨,研磨过程中实时检测所述薄膜的厚度分布,依据所述薄膜的厚度分布实时调节各个所述研磨区域施加的压力。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,依据所述薄膜的厚度分布实时调节各个所述研磨区域施加的压力的步骤包括:
根据所述薄膜的厚度分布得到所述薄膜的平均厚度;
增加所述薄膜上厚度大于所述平均厚度的区域对应的研磨区域施加的压力,减小所述薄膜上小于所述平均厚度的区域对应的研磨区域施加的压力。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,所述薄膜上待调节区域对应的研磨区域施加的压力的调节量Z满足如下公式:
其中,C为基于研磨条件而决定的常数;Za为所述薄膜的中心区域对应的研磨区域施加的压力,Zb为所述薄膜上待调节区域的压力,Signala为所述薄膜的中心区域的厚度,Signalb为所述薄膜上待调节区域的厚度。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,利用多个检测单元实时检测所述薄膜上不同区域的厚度,以得到所述薄膜的厚度分布。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,所述检测单元包括光学法终点检测器。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,多个所述研磨区域包括一圆形的第一研磨区域及多个第二研磨区域,所述第二研磨区域围绕所述第一研磨区域且呈同心环状。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法,其特征在于,所述研磨头包括一圆形的第一研磨区域及多个研磨区域组,所述研磨区域组围绕所述第一研磨区域且呈同心环状,每个所述研磨区域组中包括多个周向分布的第二研磨区域。
8.一种研磨系统,用于对一薄膜进行研磨,其特征在于,包括:
研磨头,所述研磨头具有多个研磨区域,所述研磨区域施加的压力能够被独立控制;
检测模块,用于在研磨过程中实时检测所述薄膜的厚度分布;
控制模块,用于根据所述薄膜的厚度分布实时调节各个所述研磨区域施加的压力。
9.如权利要求8所述的研磨系统,其特征在于,所述检测模块包括至少两个检测单元。
10.如权利要求8所述的研磨系统,其特征在于,所述控制模块包括:
厚度计算单元,用于根据所述薄膜的厚度分布计算出所述薄膜的平均厚度;
调节单元,用于增加所述薄膜上厚度大于所述平均厚度的区域对应的研磨区域施加的压力,减小所述薄膜上小于所述平均厚度的区域对应的研磨区域施加的压力。
11.如权利要求8所述的研磨系统,其特征在于,所述控制模块还包括压力计算单元,所述压力计算单元用于根据如下公式计算所述薄膜上待调节区域所对应的研磨区域施加的压力的调节量Z:
其中,C为基于研磨条件而决定的常数;Za为所述薄膜的中心区域对应的研磨区域施加的压力,Zb为所述薄膜上待调节区域的压力,Signala为所述薄膜的中心区域的厚度,Signalb为所述薄膜上待调节区域的厚度。
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