[发明专利]接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供一具有接触孔区域的OPC图形，所述接触孔区域包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形；

步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善接触孔的边缘误差；

其中，所述亚分辨率辅助图形位于相邻的两个接触孔图形之间，一个所述接触孔图形对应一个接触孔，步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差的步骤包括：

确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向；

获取所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离，当所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形；当所述亚分辨率辅助图形与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。

2.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一设定值为20～30nm。

3.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差的大小，所述亚分辨率辅助图形沿边缘误差小的接触孔图形向边缘误差大的接触孔图形的方向移动。

4.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二设定值小于或等于0.5nm。

5.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述接触孔图形均为矩形。

6.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

获取所述接触孔图形的长宽比值；

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值的大小，所述亚分辨率辅助图形沿长宽比值小的接触孔图形向长宽比值大的接触孔图形的方向移动。

7.如权利要求6所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，第1次步进的步进距离SFD₁满足如下公式：

其中，Ra₀、Rb₀分别为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形步进前的长宽比值，D_ab为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的之间的间距；

第i次步进的步进距离SFD_i满足如下公式：

其中，i为大于1的整数，Ra_(i-1)、Rb_(i-1)分别为经过(i-1)次步进后所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值。

8.如权利要求4所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形的形状为长方形。

9.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形的透光率为0％～75％。