[发明专利]一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺在审
申请号: | 202010892686.5 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN112060465A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 董小峰;余大明;卢海锋 | 申请(专利权)人: | 安阳凯地电磁技术有限公司 |
主分类号: | B29C45/14 | 分类号: | B29C45/14;B29C45/76;B29C45/77;B29L31/34 |
代理公司: | 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 455000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lvdt 传感器 线圈 两次 注塑 成型 工艺 | ||
1.一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:将需要注塑的LVDT传感器线圈内部的线圈进行装配;
步骤二:对装配后的线圈进行第一次注塑;
步骤三:第一次注塑完成后的线圈,进行保压、冷却处理;
步骤四:保压、冷却处理后的线圈进行外部的外套和插头装配;
步骤五:对步骤四中装配完成的线圈外套以及线圈与插头焊接处进行第二次注塑;
步骤六:对第二次注塑后的线圈装配体进行后续的保压、冷却处理,制成成品。
2.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤二中,所述第一次注塑所使用的材料为PA66。
3.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤三中,所述注塑压力为1-3MPa,保压时间为8-12s。
4.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤四中,所述外套为装配在LVDT传感器线圈外,起到保护LVDT传感器线圈的外套;所述插头与LVDT传感器线圈线路连接,并且能够与其他设备相连进行信号传输的插头。
5.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤五中,所述第二次注塑时将外套、线圈与插头焊接处注塑。
6.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤五中,所述第二次注塑所使用的材料为PA66。
7.根据权利要求1所述的一种LVDT传感器线圈的两次注塑成型工艺,其特征在于,所述步骤六中,所述注塑压力为5-6MPa,保压时间为25-35s。
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