[发明专利]基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置在审
| 申请号： | 202010892877.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112052637A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;王可为;李多力;李博;李彬鸿;刘海南;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 bsimimg fdsoi mosfet 模型 生成 方法 装置 | ||
1.一种基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法，其特征在于，包括：
修改BSIMIMG标准模型的Verilog-a代码，得到新的BSIMIMG标准模型；
从FDSOI MOSFET器件提取正沟道器件模型参数和背沟道器件模型参数；
基于所述正沟道器件模型参数和所述新的BSIMIMG标准模型生成BSIMIMG正沟道器件模型，以及基于所述背沟道器件模型参数和所述新的BSIMIMG标准模型生成BSIMIMG背沟道器件模型；
将所述BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至所述BSIMIMG正沟道器件模型，以得到合成模型；
调整所述合成模型的模型参数，得到目标FDSOIMOSFET模型。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提取FDSOIMOSFET器件的正沟道器件模型参数和背沟道器件模型参数，包括：
在所述FDSOI MOSFET器件的背沟道处于未开启状态下，提取所述FDSOIMOSFET器件的正沟道器件模型参数；
在所述FDSOI MOSFET器件的正沟道处于未开启状态下，提取所述FDSOIMOSFET器件的背沟道器件模型参数。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提取所述FDSOIMOSFET器件的背沟道器件模型参数，包括：
提取所述FDSOI MOSFET器件的背栅氧厚度作为所述BSIMIMG背沟道器件模型的正栅氧厚度，以及
提取所述FDSOI MOSFET器件的正栅氧厚度作为所述BSIMIMG背沟道器件模型的背栅氧厚度，以及
提取所述FDSOI MOSFET器件的背沟道电流作为所述BSIMIMG背沟道器件模型的正沟道电流。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至所述BSIMIMG正沟道器件模型，以得到合成模型，包括：
将正栅压加到所述BSIMIMG背沟道器件模型的背栅上，将背栅压加到所述BSIMIMG背沟道器件模型的正栅上，以及将漏电压加到所述BSIMIMG背沟道器件模型的漏极上；
在所述BSIMIMG正沟道器件模型上并联受控源，其中，所述受控源为电压控制电流源或者电流控制电流源；
将所述BSIMIMG背沟道器件模型的背沟道电流引入至所述受控源，得到所述合成模型的总电流为所述BSIMIMG背沟道器件模型的电流与所述BSIMIMG正沟道器件模型的电流之和。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述BSIMIMG背沟道器件模型的背沟道电流引入至所述受控源，包括：
在所述BSIMIMG背沟道器件模型的漏极设置第一电阻；
将所述第一电阻上的电流或者所述第一电阻上的电压引入至所述受控源。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修改BSIMIMG标准模型的Verilog-a代码，得到新的BSIMIMG标准模型，包括：
修改所述Verilog-a代码中的有效背栅电压为：当背栅压大于背沟阈值电压时，背栅有效电压等于背沟阈值电压，当背栅压小于背沟道积累电压时，背栅有效电压等于背沟积累电压。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整所述合成模型的模型参数，得到目标FDSOIMOSFET模型，包括：
调整所述合成模型的正栅阈值电压与背栅阈值电压。
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