[发明专利]嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法

权利要求书

1.一种嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，包含如下的工艺步骤：

第一步，在半导体衬底上淀积一层衬垫氧化层，以及一层氮化硅层；

第二步，光刻及刻蚀使氮化硅层图案化；

第三步，对暴露出的衬垫氧化层进行刻蚀，去除暴露出的衬垫氧化层；然后再整体生长一层ONO层；

第四步，淀积第一多晶硅层；

第五步，对第一多晶硅层进行刻蚀，以及对ONO层进行刻蚀；

第六步，生长选择管氧化硅层；

第七步，淀积第二多晶硅层；

第八步，对第二多晶硅层进行CMP工艺以及刻蚀；

第九步，去除氮化硅层以及氮化硅层底部的衬垫氧化层；

第十步，生长逻辑氧化层；

第十一步，淀积第三多晶硅层；

第十二步，对第三多晶硅层进行刻蚀。

2.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第一步中的半导体衬底为硅衬底，所述的氮化硅层作为后续刻蚀的硬掩模层。

3.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第二步中，利用光刻版及光刻胶定义，对氮化硅层进行刻蚀，使氮化硅层图案化，作为硬掩模层。

4.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，以氮化硅层为硬掩模层，干法刻蚀去除暴露出的位于半导体衬底表面的衬垫氧化层，氮化硅层下方的衬垫氧化层保留。

5.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第四步中，第一多晶硅层将刻蚀作为存储管的栅极，存储管的栅极的厚度定义了后续选择管的宽度。

6.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第五步中，以氮化硅层为硬掩模层，直接对第一多晶硅层及ONO层进行刻蚀，形成存储管的多晶硅栅极，刻蚀去除半导体衬底表面的ONO层。

7.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第六步中，淀积的选择管氧化硅层作为选择管多晶硅与存储管多晶硅栅极之间的隔离介质层；所述选择管氧化硅层采用热氧化法形成。

8.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第七步中，淀积的第二多晶硅层刻蚀之后作为选择管的多晶硅栅极。

9.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第八步中，对第二多晶硅进行CMP工艺及刻蚀，CMP工艺研磨至存储管的多晶硅栅极顶部；然后继续对第二多晶硅层进行刻蚀，刻蚀后作为选择管的多晶硅栅极的第二多晶硅层的顶部需要低于存储管的多晶硅栅极顶部。

10.如权利要求1所述的嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：所述第十一步中，淀积的第三多晶硅层在刻蚀之后作为逻辑区晶体管的栅极。