[发明专利]半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202010894494.8 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113053821A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李家庆;钟鸿钦;吴仲强;童宣瑜;邱冠璋;陈建豪;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
从半导体衬底形成鳍；
在所述鳍之上形成栅极电介质；
在所述栅极电介质之上形成功函数层；以及
修改所述功函数层的表面，其中，修改所述表面是至少部分地利用注入活性元素的化学浸泡来执行的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活性元素是铝。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述化学浸泡包括将铝引入到所述功函数层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述功函数层是至少部分地利用原子层沉积工艺形成到介于至之间的厚度来执行的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：使所述活性元素与氧反应。
6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在半导体材料的沟道区域之上沉积栅极电介质，所述沟道区域与所述半导体材料的多个侧相邻；
使用原子层沉积工艺在所述栅极电介质之上沉积功函数层；
将所述功函数层浸泡在前体材料中，其中，浸泡所述功函数层在所述功函数层内形成掺杂剂层；以及
在所述功函数层之上沉积填充材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述前体材料是氯化钛。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积所述功函数层将所述功函数层沉积到至之间的厚度。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述浸泡所述功函数层是与沉积所述功函数层原位执行的。
10.一种半导体器件，包括：
半导体鳍；
电介质材料，所述电介质材料与所述半导体鳍相邻；
功函数层，所述功函数层位于所述电介质材料之上，所述功函数层包括掺杂剂层；以及
填充材料，所述填充材料位于所述功函数层之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
