[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的检测方法有效
申请号: | 202010894798.4 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN111933680B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 张雪峰 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;G01M11/02 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 检测 方法 | ||
本发明实施例涉及显示技术领域,公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法,所述显示面板包括:阳极;像素界定层,设置于所述阳极表面,所述像素界定层在正对所述阳极的区域设有像素开口,所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口,所述第二像素开口为多个,多个所述第二像素开口间隔设置,形成围绕所述第一像素开口的环形结构,所述第一像素开口和多个所述第二像素开口对应同一阳极;发光层,位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内,以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。本发明提供的显示面板、显示装置及显示面板的检测方法能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)称为有机电致发光二极管。OLED显示技术具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、效应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点,使它在目前在众多显示屏上得到应用,例如应用于电视机和移动显示设备上。目前OLED显示器件还存在具有缺陷像素的问题,像素的缺陷主要包括像素的发光层偏位或发光层具有阴影。
现有技术中检测OLED显示器件缺陷像素的方法有待提高,因此,有必要提供一种新的显示面板、显示装置及显示面板的检测方法来解决上述问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法,其能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种显示面板,包括:
阳极;像素界定层,设置于所述阳极表面,所述像素界定层在正对所述阳极的区域设有像素开口,所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口,所述第二像素开口为多个,多个所述第二像素开口间隔设置,形成围绕所述第一像素开口的环形结构,所述第一像素开口和多个所述第二像素开口对应同一阳极;发光层,位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内,以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。
另外,所述环形结构为多个,多个所述环形结构在垂直于所述显示面板厚度方向的方向上间隔设置。通过此种结构的设置,能够使第二像素开口形成的环形结构更准确的反映像素的缺陷情况,从而能够更准确的判断显示面板是否存在缺陷像素。
另外,在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上,所述第二像素开口的正投影形状包括以下之一或其任意组合:圆形、方形、三角形。
另外,在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上,所述环形结构的正投影形状为矩形或菱形,所述第一像素开口的正投影的中心与所述环形结构的正投影的中心重合。通过此种结构的设置,有利于后续对缺陷像素发光层偏移量的计算,或对发光层阴影尺寸的计算。
另外,所述第二像素开口的正投影形状为方形,所述方形的边长在3微米至5微米之间。
另外,所述第一像素开口正投影的面积大于所述第二像素开口正投影的面积。
另外,相邻的所述第二像素开口的间距在3微米至5微米之间。通过此种结构的设置,能够在确保区域内的第二像素开口数量的同时,进一步减小制备第二像素开口的掩膜版开口间距,满足掩膜版制作时的限制条件。
相应的,本发明的实施例还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
相应的,本发明的实施例还提供了一种显示面板的检测方法,包括:提供上述的显示面板或显示装置;获取所述显示面板或所述显示装置的显示画面;根据所述显示画面判断所述显示面板或所述显示装置是否存在缺陷像素,并在判定所述显示面板或所述显示装置存在缺陷像素时,确定所述缺陷像素的缺陷种类,其中,所述缺陷种类至少包括像素偏位或像素发光时具有阴影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的