[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010895424.4 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN112447813A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 金财铉;金锡显;金官洙;林英男 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
公开了一种显示装置,该显示装置可以在透射部分中显示图像,并且可以提高显示器在所述发射部分和所述透射部分两者中的均匀性,从而可以提高装置的效率并增加寿命。
技术领域
本发明涉及显示装置,更具体地,涉及提高了装置的效率和寿命的显示装置。显示装置可以在发射部分和透射部分中显示图像,并且可以通过改变覆盖层的结构来提高发射部分和透射部分中的显示均匀性。
背景技术
随着我们最近进入信息时代,可视地显示电信息信号的显示器领域已经得到迅速发展,并且为了满足这种发展,具有优异性能(例如薄、重量轻和功耗低)的各种平板显示装置正在开发并迅速取代传统的阴极射线管(CRT)。
作为平板显示装置的示例,存在液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点显示装置等。
在上述示例中,诸如有机发光二极管显示装置和量子点显示装置等的不需要单独的光源并且实现紧凑性和清晰的颜色显示的自发光显示装置被认为是有竞争力的应用。
自发光显示装置包括位于基板上方的多个像素,并且每个像素包括发光二极管和发光层,所述发光二极管包括彼此相对设置的阳极和阴极,所述发光层设置在所述阳极和所述阴极之间。
由于自发光显示装置使用发光二极管发射的光来显示图像,因此有效地使用从发光二极管提取的光是重要的。因此,已经付出了努力来减小位于发光方向上的阴极的厚度以提高透射率并且提高阴极和与其相邻设置的元件的可靠性以稳定显示装置的性能。
在现在使用的顶部发射结构中,例如,发光器件的阳极包括反射金属,并且发光器件的阴极包括半透反射式金属。因此,从位于阳极和阴极之间的发光层中发射的光被反射阳极反射,并在阳极与阴极之间多次谐振,并且发射根据阳极和阳极之间的距离的特定波长的光。在这种结构中,为了进一步提高透射率,付出努力来减小阴极的厚度。
此外,现在对一种透明显示装置的需求正在增加,这种透明显示装置可以穿过其前后表面透射光,并且在不妨碍视场的情况下显示图像。
透明显示装置改变发光二极管在自发光区域和透射部分中的布置,并且因此可以获得透明显示效果和发光显示效果两者。
然而,由于自发光区域和透射部分分别将发光效率和透射率的增加看作是重要的,所以自发光区域和透射部分具有不同的目的,因此需要不同的结构,并且由此难以采用共同结构来实现自发光区域和透射部分。
也就是说,对于到目前为止已经提出的透明显示装置,难以根据波长具有高透射率和均匀的颜色效率。
发明内容
因此,本发明涉及一种透明显示装置,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种显示装置,其甚至可以在发射部分和透射部分中显示图像,并且可以提高显示器在所述发射部分和所述透射部分两者中的均匀性,从而可以提高装置的效率并提高寿命。
本发明的其它优点、目的和特征将在下面的描述中部分地得到阐述,并且对于本领域普通技术人员在阅读下面内容时将变得明显,或者可以通过本发明的实践来获得。通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点,并且根据本发明的目的,如在本文中实施和广泛描述地,显示装置包括在透射部分中的具有相消干涉特性的第一覆盖结构以及在发射部分中的具有相长干涉特性的第二覆盖结构。因此,所述发射部分保持强腔体特性并且发出从发光元件产生的光,并且所述透射部分通过在所述第一覆盖结构的界面处具有反射特性来减少在所述第一覆盖结构内部被全反射的光的量并提高光透射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的