[发明专利]电源变换器与电流比较反馈电路

权利要求书

1.一种电源变换器，包括：开关管、变压器与用于控制所述开关管导通与关断的控制模块，所述变压器包括输入侧的原边绕组、输出侧的副边绕组，以及输出侧的辅助绕组，所述开关管与所述原边绕组串联后连接于输入电源与地之间，其特征在于，还包括：第一电阻、第二电阻与电流比较反馈电路；

所述第一电阻的第一端连接至所述辅助绕组的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接至所述辅助绕组的第二端，所述辅助绕组的第二端接地；所述电流比较反馈电路的一端连接所述第一电阻的第二端，所述电流比较反馈电路的另一端连接所述控制模块，所述控制模块还连接所述开关管的控制端；

所述电流比较反馈电路用于：

形成并维持住参考电流，所述参考电流是根据所述开关管处于导通状态时所述第一电阻的第一电流确定的；

在所述开关管处于关断状态时，采集所述第一电阻的第二电流，并根据所述参考电流与所述第二电流的比较结果，向所述控制模块发送反馈信号，以利用所述反馈信号表征所述开关管的两端电压是否进入目标区间，所述目标区间与0V电压相匹配；

所述电流比较反馈电路包括：电流复制单元、第一镜像单元、第二镜像单元、参考维持单元与输出单元；所述电流复制单元连接所述第一电阻的第二端，所述第一镜像单元与所述第二镜像单元连接所述电流复制单元，所述参考维持单元连接所述第一镜像单元，所述输出单元的输入侧连接所述参考维持单元与所述第二镜像单元之间的反馈节点；

所述电流复制单元用于：复制所述第一电流与所述第二电流；

所述第一镜像单元用于：在所述开关管处于导通状态时，镜像所述电流复制单元复制到的第一电流，并形成中间电流；所述中间电流关联于所述第一电流对应的第一镜像电流；

所述参考维持单元用于：在所述开关管处于导通状态时，形成与所述中间电流相匹配的所述参考电流，并在所述开关管处于关断状态时，维持住所述参考电流；

所述第二镜像单元用于：在所述开关管处于关断状态时，镜像所述电流复制单元复制到的第二电流，并形成所述第二电流对应的第二镜像电流；

所述输出单元用于：在所述开关管处于关断状态时，获取所述第二镜像电流与所述参考电流的比较结果，并根据所述第二镜像电流与所述参考电流的比较结果，发出所述反馈信号。

2.根据权利要求1所述的电源变换器，其特征在于，所述中间电流与所述第一镜像电流的差值为固定值。

3.根据权利要求2所述的电源变换器，其特征在于，所述第一镜像单元连接所述控制模块；

所述控制模块还用于：

在所述开关管处于关断状态时，控制所述第一镜像单元处于开路状态；

在所述开关管处于导通状态时，控制所述第一镜像单元处于导通状态，以使得处于导通状态的所述第一镜像单元才能够形成所述中间电流。

4.根据权利要求3所述的电源变换器，其特征在于，所述第一镜像单元包括第一P沟道MOS管、第一N沟道MOS管、至少一个开关与第一电流源；所述至少一个开关包括第一开关和/或第二开关；

所述第一P沟道MOS管的源极与栅极连接所述电流复制单元，所述第一P沟道MOS管的漏极直接或通过所述第一开关连接所述第一N沟道MOS管的漏极，所述第一N沟道MOS管的源极接地，所述第一N沟道MOS管的栅极直接或通过所述第二开关连接所述参考维持单元，所述第一N沟道MOS管的栅极还连接所述第一N沟道MOS管的漏极；所述第一P沟道MOS管的漏极还直接或间接连接所述第一电流源的输入侧，所述第一电流源的输出侧接地；所述至少一个开关连接所述控制模块；

所述控制模块控制所述第一镜像单元处于开路状态时，具体用于：控制所述至少一个开关断开；

所述控制模块控制所述第一镜像单元处于导通状态时，具体用于：控制所述至少一个开关导通；

其中：

所述开关管处于导通状态且所述至少一个开关均导通时所述第一P沟道MOS管的电流为所述第一电流对应的第一镜像电流；

所述开关管处于导通状态且所述至少一个开关均导通时所述第一N沟道MOS管的电流为所述中间电流。