[发明专利]一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

在硅基体主表面生成厚度在3～10nm范围内的第一钝化层；

在所述第一钝化层的表面沉积含掺杂源的选择性载流子传输层，其中，所述选择性载流子传输层，包括：具有微晶硅、非晶硅以及多晶硅中的任意一种或多种的单层薄膜或叠层薄膜；

在所述含掺杂源的选择性载流子传输层的表面沉积含氢的第二钝化层；

高温退火激活所述掺杂源，实现所述选择性载流子传输层的掺杂和钝化，增加掺杂原子在第一钝化层中的扩散深度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，

针对所述选择性载流子传输层为单层薄膜，所述掺杂源分散于所述单层薄膜中；

或者，

针对所述选择性载流子传输层为叠层薄膜，所述掺杂源分散于所述叠层薄膜中的至少一层薄膜中。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第一钝化层的表面沉积含掺杂源的选择性载流子传输层，包括：

在所述第一钝化层的表面的全部或部分区域沉积所述含掺杂源的选择性载流子传输层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，

针对在所述第一钝化层的表面的部分区域沉积所述含掺杂源的选择性载流子传输层，

所述太阳能电池的制备方法进一步包括：在所述第一钝化层的表面上未被所述含掺杂源的选择性载流子传输层覆盖的区域沉积含氢的第三钝化层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，

采用相同的沉积方式沉积所述含氢的第二钝化层和所述含氢的第三钝化层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述第二钝化层包括：氮氧化硅和/或氮化硅。

7.根据权利要求1、2、4至6中任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，

通过高温退火激活所述掺杂源，其中所述高温退火的温度为800-1100度，和/或所述高温退火的持续时长为10-360min。

8.一种基于权利要求1至7任一所述的制备方法制得的太阳能电池，其特征在于，包括：硅基体、厚度在3～10nm范围内的第一钝化层、含掺杂源的选择性载流子传输层以及含氢的第二钝化层，其中，

所述第一钝化层设置于所述硅基体的主表面；

所述含掺杂源的选择性载流子传输层设置于所述第一钝化层上；

所述含氢的第二钝化层设置于所述含掺杂源的选择性载流子传输层的表面，用于为所述掺杂源提供激活环境，以增强所述掺杂源中掺杂原子的扩散能力，并增加掺杂原子在第一钝化层中的扩散深度。