[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供铜铟镓硒太阳能电池薄膜，所述铜铟镓硒太阳能电池薄膜由下向上依次包括基底、背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层及前电极层；

刻划所述背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层及前电极层，形成第一道刻缝，分隔所述背电极层；

使用皮秒红外激光自上向下依次刻划所述前电极层、缓冲层及铜铟镓硒吸收层，刻划深度停止于所述背电极层的上表面，形成第三道刻缝；

对所述第一道刻缝及所述第三道刻缝进行绝缘材料涂敷，所述绝缘材料包括填充满所述第一道刻缝及所述第三道刻缝的第一填充部及凸出于所述第一道刻缝及所述第三道刻缝的第一凸起部；

使用皮秒红外激光自上向下依次刻划所述前电极层、缓冲层及铜铟镓硒吸收层，刻划深度停止于所述背电极层的上表面，形成第二道刻缝，且所述第二道刻缝形成于所述第一道刻缝与所述第三道刻缝之间，分隔PN结，提供所述背电极层与所述前电极层的连接通道；

对所述第二道刻缝进行导电材料涂敷，所述导电材料包括填充满所述第二道刻缝的第二填充部及覆盖所述第一道刻缝上的所述第一凸起部的第二凸起部。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：所述第一道刻缝的宽度介于20μm~50μm之间，所述第二道刻缝的宽度介于20μm~40μm之间，所述第三道刻缝的宽度介于30μm~60μm之间，所述第一道刻缝与所述第三道刻缝之间的间距介于120μm~250μm之间。

3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：采用喷墨打印或狭缝涂敷工艺对所述第一道刻缝及所述第三道刻缝进行绝缘材料涂敷；采用喷墨打印或狭缝涂敷工艺对所述第二道刻缝进行导电材料涂敷。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，对所述第二道刻缝进行导电材料涂敷后还包括在所述铜铟镓硒太阳能电池薄膜表面敷设汇流条及进行后端封装的步骤。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：形成所述铜铟镓硒吸收层的方法包括溅射铜铟镓后进行硒化的方法和/或共蒸法；形成所述缓冲层的方法包括气相沉积法和/或化学浴沉积法。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：所述导电材料包括碳浆、金属浆料或改性的陶瓷浆料。

7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：所述基底的材料包括不锈钢或玻璃，所述背电极层包括钼层，所述缓冲层的材料包括硫化镉、硫化锌及硫化铟中的至少一种，所述前电极层的材料包括掺铝氧化锌、掺镁氧化锌及掺硼氧化锆中的至少一种，所述背电极层的厚度介于220nm~1500nm之间，所述铜铟镓硒吸收层的厚度介于1500nm~2500nm之间，所述缓冲层的厚度介于50nm~950nm之间，所述前电极层的厚度介于50nm~500nm之间。

8.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：使用皮秒激光自上向下依次刻划所述铜铟镓硒太阳能电池薄膜，刻蚀深度停止于所述基底的上表面，形成所述第一道刻缝；或使用纳秒激光或微秒激光或机械刻划自下向上依次刻划所述铜铟镓硒太阳能电池薄膜的所述背电极层、所述铜铟镓硒吸收层、所述缓冲层及所述前电极层，形成所述第一道刻缝。