[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板

说明书

本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在TFT器件膜层厚度上第一子栅极位于有源层与源极及漏极之间，第二子栅极与源极及漏极同层、同一道光罩制备而成，可节约一道光罩，第二子栅极不受像素单元开口的影响，第二子栅极包括间隔设置的两个栅极金属图案，两个栅极金属图案均与同一条扫描线电性连接，同时对第一子栅极充电，提升栅极的充电率，另外第一子栅极优选为金属钼，第二子栅极优选为金属铝或铝合金，金属铝的阻抗比金属钼的低，降低栅极的阻抗，进一步提高栅极充电率，满足高清晰度显示面板的分辨率、刷新率、大尺寸的需求。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT器件及其制备方法、阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD(Liquid CrystalDisplay，LCD)显示装置与OLED(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置中。薄膜晶体管具有多种结构，传统底栅结构的薄膜晶体管，由于栅极与源/漏电极之间重叠面积较大，产生了较大的寄生电容，会导致信号的延迟，且制作出来的薄膜晶体管尺寸较大，因而限制了其应用；顶栅型(Top gate)薄膜晶体管中的源/漏电极与栅极之间没有重叠，因此具有更低的寄生电容和更好的延展性，能够降低信号传输过程中的延迟，同时采用自对准的制备方法，有利于制备短沟道器件，提高器件稳定特性，因此顶栅型薄膜晶体管结构就成为目前主要的发展方向。

如图1所示，现有技术中顶栅型薄膜晶体管100包括从下到上依次层叠设置于衬底基板101上的遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、栅极106、层间绝缘层107、源极1081、漏极1082、平坦化层1083、公共电极1091、钝化层109、以及像素电极1092，其中，源极1081与漏极1082分别通过层间绝缘层107上设置的过孔与有源层104的源极掺杂区1041和漏极掺杂区1042相接触，缓冲层103包括氮化硅层1031和氧化硅层1032，源极掺杂区1041和漏极掺杂区1042之间设置有沟道区1043，液晶面板的分辨率、刷新率、频率、尺寸要求越来越高，在较短时间内栅极106表面覆着有一定的电荷，该电荷对沟道区1043形成电场，以使源极掺杂区1041和漏极掺杂区1042之间的电子和空穴发生定向运动，实现快速对像素施加数据信号，提高液晶面板的帧率切换和刷新，显示复杂的图像。为了增加顶栅型薄膜晶体管100的充电率，顶栅型薄膜晶体管100中栅极106选择金属钼，另外增加栅极106的厚度和宽度，来减少栅极106的阻抗，可以从一定程度上提升充电率，但膜层增加容易导致膜层应力增加，有破片的风险，栅极106宽度还受到像素开口率的影响无法继续增加，还有栅极106采用铝等金属，在栅极106完成后制备的层间绝缘层107需要在高温下补氢，高温容易烫伤铝材质的栅极，影响顶栅型薄膜晶体管100的质量。

综上所述，需要设计出一种新的结构薄膜晶体管，以解决上述技术问题中增加顶栅型薄膜晶体管中栅极厚度及宽度以提高充电率，容易增加薄膜晶体管膜层的应力，导致该膜层断裂，像素开口率限制栅极宽度无法继续增加，另外栅极由金属钼替换成铝，在后续的制程中高温容易损伤铝材质的栅极的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，能够解决现有技术中增加顶栅型薄膜晶体管中栅极厚度及宽度以提高充电率，容易增加薄膜晶体管膜层的应力，导致该膜层断裂，像素开口率限制栅极宽度无法继续增加，另外栅极由金属钼替换成铝，在后续的制程中高温容易损伤铝材质的栅极的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种TFT器件，所述TFT器件至少包括遮光层、有源层、栅极、源极以及漏极，其中，所述栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述第一子栅极位于所述有源层与所述源极及所述漏极之间，所述第一子栅极与所述第二子栅极电性连接。