[发明专利]一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构

说明书

本发明提供了一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，通过对P型衬底进行不同的掺杂，形成不同的区域，例如N阱、P阱和深N阱，并合理设置N阱、P阱和深N阱的相对位置，实现了鳍式场效应晶体管制程中的多种新型阱型电阻结构。

技术领域

本发明涉及鳍式场效应晶体管阱型电阻版图设计技术领域，更具体地说，涉及一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构。

背景技术

随着科学技术的不断发展，FinFET(Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管)已广泛应用于CMOS器件结构中，是实现单片异质集成、发展CMOS器件和片上系统的关键技术。

但是，目前市面上的FinFET的阱型电阻结构比较单一，在电路设定上可选择性少，在使用上有诸多不便。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，技术方案如下：

一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：

P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；其中，所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；

设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；

通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的P型磊晶结构与金属连接。

一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：

P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；所述深N阱区被所述P阱及所述P型衬底包围，且所述深N阱区的中间区域为P阱；

设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；

通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的N型磊晶结构与金属连接。

一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：

P型衬底，所述P型衬底包括：N阱和P阱；所述N阱被所述P阱及所述P型衬底包围；所述N阱上具有N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；

设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；

所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；

通过两个或多个所述沟槽与所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构与金属连接。

可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述金属栅结构与所述P型衬底之间隔有绝缘层。

可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述N阱上还具有P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；

其余部分所述沟槽对应所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构。

一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：

P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；所述P阱上具有P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；

设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；

所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；

通过两个或多个所述沟槽与所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构与金属连接。