[发明专利]一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法

权利要求书

1.一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的金属等离激元纳米光学天线为金属纳米颗粒结构，通过由外加直流电压驱动的电化学氧化还原反应自组装在半导体材料表面，所述的电化学氧化还原反应自组装过程是由金属薄膜、金属块体或片状金属作为阳极，相应金属的盐和超纯异丙醇混合溶液作为电解液，半导体材料作为阴极组成的两极结构在外加直流电压驱动下发生的电泳沉积过程。

2.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的作为阳极的金属薄膜、金属块体或片状金属是Pt、Au、Ag、Cu、Al、 Zn,、Pd的其中一种。

3.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的半导体材料是n型或p型的Si基半导体、III-V族半导体、II-Ⅵ族半导体、低维半导体中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的电化学氧化还原反应是在外加直流电压作用下，阳极金属原子失去电子变成金属阳离子，进入电解液，同时电解液中的金属阳离子在电场驱动下向阴极半导体材料漂移，沉积在半导体表面获得电子并还原为金属原子，实现金属纳米颗粒在半导体材料表面的沉积从而构建金属等离激元纳米光学天线。

5.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的外加直流电压范围为10至100 V。

6.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述金属的盐和超纯异丙醇组成的电解液中金属盐的摩尔浓度为1 nmol/L至1 μmol/L。

7.根据权利要求1所述的一种金属等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，所述的金属纳米颗粒可通过控制反应时间、电解液浓度、外加直流电压值、阴阳极间距来调控金属纳米颗粒的尺寸，实现颗粒粒径介于5-100 nm。