[发明专利]基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构，其特征在于，包括上层封装散热结构、下层封装散热结构和PCB；

所述下层封装散热结构与所述PCB电连；所述上层封装散热结构与所述下层封装散热结构电连。

2.如权利要求1所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构，其特征在于，所述上层封装散热结构包括若干上层芯片（101），所述上层芯片（101）通过上层塑封料（102）包封形成第一塑封体；

所述第一塑封体的正面设有上层RDL层（103），所述上层RDL层（103）对应位置上的UBM制作有上层焊球（104）；所述上层芯片（101）通过所述上层RDL层（103）与所述上层焊球（104）连接；

所述第一塑封体的背面通过第一导热粘接胶（105）贴装有第一散热片（106），所述第一导热粘接胶（105）和所述第一散热片（106）覆盖所述第一塑封体的整个背面。

3.如权利要求2所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构，其特征在于，所述第一导热粘接胶（105）的固化温度高于所述上层塑封料（102）。

4.如权利要求1所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构，其特征在于，所述下层封装散热结构包括若干下层芯片（201），所述下层芯片（201）的背面通过第二导热粘接胶（205）贴装有第二散热片（206），并通过下层塑封料（202）包封形成第二塑封体；

所述第二塑封体的正面设有下层RDL层（203），所述下层RDL层（203）对应位置上的UBM制作有下层焊球（204）；所述下层芯片（201）通过所述下层RDL层（203）与所述下层焊球（204）连接；

所述第二塑封体四周制作有TMV通孔（207），所述TMV通孔内通过电镀填充有铜（208）。

5.如权利要求4所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构，其特征在于，所述第二导热粘接胶（205）的固化温度高于所述下层塑封料（202）。

6.一种基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构的制作方法，其特征在于，包括：

制作上层封装散热结构和下层封装散热结构；

提供PCB，将下层封装散热结构中的下层焊球对应到PCB的焊盘进行回流处理，然后将上层封装散热结构中的上层焊球对应到下层封装结构的焊盘进行回流处理。

7.如权利要求6所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构的制作方法，其特征在于，制作上层封装散热结构包括：

使用上层塑封料对若干个上层芯片进行固化包封，形成第一塑封体；

对所述第一塑封体的背面进行减薄，至露出上层芯片背部；

采用Fan-out工艺，对第一塑封体的正面进行一系列电镀、光刻、显影、去胶工艺，将上层芯片的电源及信号引至上层RDL层；

在上层RDL层对应位置上的UBM进行回流植球形成上层焊球；

在第一塑封体的背面涂上第一导热粘接胶，然后将第一散热片贴装在第一导热粘接胶上，得到上层封装散热结构。

8.如权利要求6所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构的制作方法，其特征在于，制作下层封装散热结构包括：

在若干个下层芯片的背面涂上第二导热粘接胶，将第二散热片贴装到第二导热粘接胶上；

使用下层塑封料对其进行固化包封，形成第二塑封体；

对第二塑封体的背面进行减薄，至露出第二散热片的背部；

对第二塑封体的四周进行通孔成型处理形成TMV通孔；

对所述TMV通孔进行种子层溅镀，然后电镀填充铜；

采用Fan-out工艺，对第二塑封体的正面进行一系列电镀、光刻、显影、去胶工艺，将下层芯片的电源及信号引至下层RDL层；

在下层RDL层对应位置上的UBM进行回流植球形成下层焊球，得到下层封装散热结构。